公开(公告)号：CN1332262C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410047604.8

申请日：2004-05-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小岛哲夫 ,  今野进 ,  西前顺一 ,  由良信介 ,  森川和敏 ,  园淳弘 ,  佐藤行雄

IPC: G02F1/37 ,  G02F1/35

CPC classification number: G02F1/353

Abstract: 为了使用用于进行波长转换的非线性光学晶体、通过使基本激光束沿一个方向传播来对基本激光束进行波长转换，使随机偏振的基本激光束按顺序穿过串联的、用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，从而产生波长已经转换的激光束，其偏振方向彼此相差45度到90度。提供了用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，以便当相对于激光束的光轴的方向观察时，各晶体的晶体方向轴相差45度到90度。

公开(公告)号：CN1706028A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001234.2

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光(22)在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域(35)的宽度方向上与下一个定时的照射区域(35)重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光(22)对第1照射区域(35)照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域(35)部分重合的第2照射区域(36)照射紫外光脉冲激光(23)。

公开(公告)号：CN1619404A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410047604.8

申请日：2004-05-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小岛哲夫 ,  今野进 ,  西前顺一 ,  由良信介 ,  森川和敏 ,  园淳弘 ,  佐藤行雄

IPC: G02F1/37 ,  G02F1/35

CPC classification number: G02F1/353

Abstract: 为了使用于进行波长转换的非线性光学晶体、通过使基本激光束沿一个方向传播来对基本激光束进行波长转换，使随机偏振的基本激光束按顺序穿过串联的、用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，从而产生波长已经转换的激光束，其偏振方向彼此相差45度到90度。提供了用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，以便当相对于激光束的光轴的方向观察时，各晶体的晶体方向轴相差45度到90度。