公开(公告)号：CN102470481A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160034.4

申请日：2009-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈本达树 ,  由良信介 ,  桂智毅 ,  森田大嗣

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/16

CPC classification number: B23K26/36 ,  B23K26/146

Abstract: 目的在于提供一种在通过激光来对基板上的薄膜进行划线加工的情况下不需要大型的集尘器、大量的清洗液而正确地进行微细的划线加工的激光加工方法以及装置。通过透镜(102)对来自激光光源(160)的激光(101)进行聚光、从配管(111)的窗部(147)导入、在清洗液(112)中进行传播来从喷嘴(113)进行照射，并且以聚光的激光(101)的光轴为大致中心、以不与聚光的激光光束(101)接触的大小的内径设置的喷嘴(113)喷射从液流控制部(170)供给的清洗液(112)来进行划线加工。

公开(公告)号：CN109314488A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780033197.0

申请日：2017-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 由良信介 ,  津田睦 ,  时冈秀忠

IPC: H02S50/00

Abstract: 目的在于提供能够恰当地诊断太阳能电池串的故障的技术。太阳能电池串的故障诊断方法以及故障诊断装置具备阻抗测量器、解析部和判定部。解析部根据包含太阳能电池串的预定的等效电路中的阻抗、电感以及频率的关系式和由阻抗测量器测量出的第1阻抗的频率特性，求出太阳能电池串的电感。判定部根据由解析部求出的电感，进行太阳能电池串的故障诊断。

公开(公告)号：CN102470481B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200980160034.4

申请日：2009-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈本达树 ,  由良信介 ,  桂智毅 ,  森田大嗣

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/16

CPC classification number: B23K26/36 ,  B23K26/146

Abstract: 目的在于提供一种在通过激光来对基板上的薄膜进行划线加工的情况下不需要大型的集尘器、大量的清洗液而正确地进行微细的划线加工的激光加工方法以及装置。通过透镜(102)对来自激光光源(160)的激光(101)进行聚光、从配管(111)的窗部(147)导入、在清洗液(112)中进行传播来从喷嘴(113)进行照射，并且以聚光的激光(101)的光轴为大致中心、以不与聚光的激光光束(101)接触的大小的内径设置的喷嘴(113)喷射从液流控制部(170)供给的清洗液(112)来进行划线加工。

公开(公告)号：CN100397576C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200480001234.2

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域的宽度方向上与下一个定时的照射区域重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光对第1照射区域照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域部分重合的第2照射区域照射紫外光脉冲激光。

公开(公告)号：CN101136429A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148148.X

申请日：2007-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  由良信介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/083 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。

公开(公告)号：CN1822318A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008597.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须贺原和之 ,  中川直纪 ,  园淳弘 ,  由良信介 ,  山吉一司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  C23C16/56 ,  C30B30/00 ,  B23K26/00 ,  G02F1/1368

Abstract: 目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括：第1扫描步骤，利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光，对形成在绝缘体上的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第1多晶半导体膜；以及第2扫描步骤，在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分，并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第2多晶半导体膜，其特征在于：上述激光的波长范围是390nm到640nm，上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。

公开(公告)号：CN101123276A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140718.0

申请日：2007-08-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永田一志 ,  远藤厚志 ,  由良信介

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种可靠性高、性能稳定的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备：形成在绝缘基板(1)上并具有预定的图案形状的多晶硅层(2)；设置在绝缘基板(1)和多晶硅层(2)的表面上、表面成为与多晶硅层(2)的表面相同的抛光面的第1栅极绝缘膜(31)；覆盖着多晶硅层(2)和第1栅极绝缘膜(31)而形成的第2栅极绝缘膜(32)。

公开(公告)号：CN1332426C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480001244.6

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域的工序。

公开(公告)号：CN1706029A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001244.6

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板(9)的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光(22)在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状(33)，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域(36)中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域(36)相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域(39)的工序。

公开(公告)号：CN101136429B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200710148148.X

申请日：2007-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  由良信介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/083 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。