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公开(公告)号:CN102219507A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110093553.2
申请日:2011-04-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种适合用于高容量密度的薄膜电容器的铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及通过该方法形成的铁电薄膜。一种用于形成PLZT等铁电薄膜的铁电薄膜形成用组合物,其特征在于,该组合物为用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物在通式:(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中0.9<x<1.3,0≤y<0.1,0≤z<0.9)所示的复合金属氧化物A中,混合含有Bi的复合金属氧化物B,并且由有机金属化合物溶液构成,所述有机金属化合物溶液中,各原料以成为如提供上述通式所示的金属原子比的比例的方式溶解于有机溶剂中,另外,构成复合金属氧化物B的原料为正辛酸基通过其氧原子与金属元素键合的化合物。
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公开(公告)号:CN113600452A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202110967305.X
申请日:2015-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及LaNiO3薄膜的形成方法及器件的制造方法,本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括:在被Pt电极包覆的基板中,在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下,将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序;临时烧结所述涂膜的工序;及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。
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公开(公告)号:CN103360066A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310273420.2
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≦n≦7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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公开(公告)号:CN103193477A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201210003035.1
申请日:2012-01-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , H01G4/14
Abstract: 本发明提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄膜形成用组合物,用于形成呈通式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≤x≤1.1)所示的复合金属氧化物形态的薄膜,其特征在于,由用于构成该复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成,所述有机溶剂以具有通式:CnH2n+1COOH(其中n为2~6的整数)所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分。
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公开(公告)号:CN102173795A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN201110025514.9
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体(图尔)有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622 , H01L21/316
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物,为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物,其特征在于,是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的,式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9,包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。
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公开(公告)号:CN102046563A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980119294.7
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜,本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≤n≤7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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公开(公告)号:CN106007710B
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201610173372.3
申请日:2016-03-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/43 , C04B35/491
Abstract: 本发明提供一种寿命可靠性优异的铁电膜及其制造方法。本发明的铁电膜由多个烧成膜构成,所述铁电膜由含有Pb、Zr及Ti的钙钛矿结构的金属氧化物构成,Li、Na及K的总含量为3质量ppm以下,构成所述多个烧成膜的各烧成膜的一面中的Li、Na及K的总含量为另一面中的Li、Na及K的总含量的5倍以上。
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公开(公告)号:CN103664169B
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201310397322.X
申请日:2013-09-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01B3/448 , C04B35/472 , C04B35/493 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/63444 , C04B2235/3227 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , H01B19/04 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L28/55 , Y10T428/3192 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中,即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce,且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅,也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外,聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。
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公开(公告)号:CN105531798A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201480050492.3
申请日:2014-10-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/288 , C01G53/00 , H01B3/12 , H01B13/00 , H01G4/33 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/319
CPC classification number: H01L27/11502 , C09D5/24 , H01B1/08 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L37/02 , H01L41/0477 , H01L41/0478 , H01L41/29
Abstract: LaNiO3薄膜形成用组合物包含LaNiO3前驱体、有机溶剂及稳定剂。并且,相对于LaNiO3前驱体、有机溶剂与稳定剂的总计100质量%,LaNiO3前驱体的混合比例换算成氧化物为1~20质量%。而且,有机溶剂的HSP值的分散成分dD、极化成分dP及氢键成分dH分别满足14<dD<20、3<dP<26及3<dH<30的关系。
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公开(公告)号:CN103360066B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201310273420.2
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≦n≦7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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