公开(公告)号：CN103130502B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均X为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜X＜23t的关系。

公开(公告)号：CN103979617B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410045429.2

申请日：2014-02-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C01G53/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种LaNiO3薄膜形成用组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜形成方法，其课题在于形成一种极少产生空隙的均匀的LaNiO3薄膜。本发明的LaNiO3薄膜形成用组合物包含：LaNiO3前驱体；第1有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自β‑二酮、β‑酮类、β‑酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面张力，其中，组合物100质量%中的LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，稳定剂的比例相对于组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔超过0且为10摩尔以下，组合物100质量%中的第2有机溶剂的比例为5～20质量%。

公开(公告)号：CN104446463B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410553563.3

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9

公开(公告)号：CN105934282A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005883.8

申请日：2015-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: B05D7/24 ,  B05D7/00

CPC classification number: B05D3/0209 ,  B05D3/0218 ,  B05D3/0413 ,  B05D5/00 ,  C01G53/70 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括：在被Pt电极包覆的基板中，在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下，将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序；临时烧结所述涂膜的工序；及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。

公开(公告)号：CN103193477B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210003035.1

申请日：2012-01-06

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄膜形成用组合物，用于形成呈通式：Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≤x≤1.1)所示的复合金属氧化物形态的薄膜，其特征在于，由用于构成该复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成，所述有机溶剂以具有通式：CnH2n+1COOH(其中n为2～6的整数)所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分。

公开(公告)号：CN106007710A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610173372.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  藤井顺 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491

Abstract: 本发明提供一种寿命可靠性优异的铁电膜及其制造方法。本发明的铁电膜由多个烧成膜构成，所述铁电膜由含有Pb、Zr及Ti的钙钛矿结构的金属氧化物构成，Li、Na及K的总含量为3质量ppm以下，构成所述多个烧成膜的各烧成膜的一面中的Li、Na及K的总含量为另一面中的Li、Na及K的总含量的5倍以上。

公开(公告)号：CN102173795B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110025514.9

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体(图尔)有限公司

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

公开(公告)号：CN102219507B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110093553.2

申请日：2011-04-12

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  桜井英章 ,  曽山信幸

IPC: H01L21/71 ,  C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种适合用于高容量密度的薄膜电容器的铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及通过该方法形成的铁电薄膜。一种用于形成PLZT等铁电薄膜的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，该组合物为用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物在通式：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物A中，混合含有Bi的复合金属氧化物B，并且由有机金属化合物溶液构成，所述有机金属化合物溶液中，各原料以成为如提供上述通式所示的金属原子比的比例的方式溶解于有机溶剂中，另外，构成复合金属氧化物B的原料为正辛酸基通过其氧原子与金属元素键合的化合物。

公开(公告)号：CN103664169A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310397322.X

申请日：2013-09-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C04B35/472 ,  C04B35/493 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/63444 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1216 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/55 ,  Y10T428/3192 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中，即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce，且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。

公开(公告)号：CN103130504A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210470775.6

申请日：2012-11-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622

CPC classification number: C09D5/00 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/098 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜形成用组合物，用于形成钛酸铅类钙钛矿膜或锆钛酸铅类复合钙钛矿膜组成的铁电薄膜。组合物包括乙酸铅、由乙酰丙酮或二乙醇胺组成的稳定剂和聚乙烯吡咯烷酮。换算为单体的所述聚乙烯吡咯烷酮的摩尔数与组合物中所含的钙钛矿B位原子的摩尔数之比为大于0且小于0.015。聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上且100000以下。