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公开(公告)号：CN104704618A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052142.6
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , C04B37/026 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/597 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/49822 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L33/641 , H01L2224/2731 , H01L2224/2732 , H01L2224/27505 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29188 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/4809 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83539 , H01L2224/83595 , H01L2224/83695 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0541 , H01L2924/01047 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599 , H01L21/52 , H01L23/36
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(1)具备：由导电性材料构成的电路层(12)；及搭载于电路层(12)上的半导体元件(3)，在电路层(12)的一面形成有气孔率设在5％以上且55％以下的范围内的基底层(31)，在该基底层(31)之上形成有由接合材料的烧成体构成的接合层(38)，所述接合材料包含金属粒子及金属氧化物粒子中的至少一方或双方及有机物，电路层(12)和半导体元件(3)经由基底层(31)及接合层(38)而接合。
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公开(公告)号：CN104347330A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410327037.5
申请日：2014-07-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01H85/04
CPC classification number: H01H85/046
Abstract: 本发明提供一种不依靠基底层的电极的厚度而能够固定熔断器材料并且不容易受到来自电极的热影响，且能够实现小型化的熔断器。本发明的熔断器具备：绝缘性基板(2)；一对电极(3)，形成于绝缘性基板上；金属熔丝膜(4)，为带状且其两端直接或经由其他的导电材料与一对电极连接；及低熔点部件(5)，覆盖金属熔丝膜的至少中间部分而设置，且由熔点低于金属熔丝膜的金属材料形成，其中，金属熔丝膜具有以宽度比其他部分或电极窄的方式形成的窄幅部(4a)，低熔点部件比其宽度比窄幅部宽的方式形成，且通过粘结剂直接固定于绝缘性基板上。
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公开(公告)号：CN112839799B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201980067770.9
申请日：2019-10-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种碳质构件(21)，其包含由单层或多层的石墨烯堆积而成的石墨烯聚集体及扁平状的石墨颗粒，所述碳质构件的结构为扁平状的所述石墨颗粒以其基底面叠摞的方式将所述石墨烯聚集体作为粘合剂而层叠，并使扁平状的所述石墨颗粒的基底面朝一个方向取向。金属层(25)具备金属镀层(26)，所述金属镀层(26)直接形成于在碳质构件(21)中层叠的所述石墨颗粒的边缘面所面对的表面(边缘层叠面)，金属镀层(26)以导热系数为50W/(m·K)以上的金属构成。
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公开(公告)号：CN108140706B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201680055094.X
申请日：2016-09-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L33/64 , B23K1/00 , B23K35/30 , C22C5/02 , H01L23/36 , H01L23/40 , B23K101/42 , B23K103/10 , B23K103/12
Abstract: 本发明的带制冷器的发光模块中，在绝缘层的一个面侧形成搭载发光元件的电路层，且在所述绝缘层的另一个面侧依次层叠金属层与制冷器，所述带制冷器的发光模块的特征在于，所述电路层由Cu、Al或它们的合金构成，并且厚度为0.1mm以下，所述金属层及所述制冷器由Al或Al合金构成，所述金属层与所述制冷器直接接合，所述发光元件的面积:所述绝缘层的一个面的面积在1:20～1:400的范围内。
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公开(公告)号：CN107112100B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201680005466.8
申请日：2016-01-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的电阻器具备：包括形成于陶瓷基板的一面的电阻元件及金属电极的片状电阻元件；电连接于所述金属电极的金属端子；及形成于所述陶瓷基板的另一面侧的Al部件，所述陶瓷基板与所述Al部件通过Al‑Si系钎料而被接合，所述金属电极与所述金属端子通过焊料而被接合，在所述Al部件中，与所述陶瓷基板侧的面相对置的对置面的弯曲程度在‑30μm/50mm以上且700μm/50mm以下的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103988297B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201280060840.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K13/00 , B23K1/20 , C04B35/111 , C04B35/14 , C04B35/46 , C04B35/587 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63424 , C04B37/025 , C04B37/028 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/606 , C04B2235/95 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/068 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/82 , C04B2237/88 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/467 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/12044 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H05K1/0373 , H05K13/0465 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)的一个面上形成有电路层(12)，在绝缘层(11)的另一个面上形成有金属层(13)，且在该金属层(13)的另一个面上使用助焊剂接合有被接合体，所述功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)与金属层(13)的接合面的周边部形成有含有氧化物与树脂的助焊剂成分侵入防止层(51)。
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公开(公告)号：CN104919585A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004771.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B23K20/02 , B23K2101/40 , B23K2103/10 , B23K2103/12 , B23K2103/18 , B23K2103/52 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本申请的功率模块用基板，具备形成于陶瓷基板(11)的第一面的电路层(12)及形成于第二面的金属层(13)，所述金属层(13)具有：第一铝层(13A)，与所述陶瓷基板(11)的第二面接合；及第一铜层(13B)，与该第一铝层(13A)固相扩散接合。
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公开(公告)号：CN104885207A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380067852.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L21/52 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29005 , H01L2224/29111 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中的与半导体元件(3)的接合面设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的与电路层(12)之间的界面形成有合金层(21)，该合金层(21)作为主成分含有Sn，并且含有0.5质量％以上10质量％以下的Ni和30质量％以上40质量％以下的Cu，该合金层(21)的厚度设定在2μm以上20μm以下的范围内，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时的热阻上升率低于10％。
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公开(公告)号：CN104885206A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380066872.1
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , B23K35/0272 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B23K2101/42 , B32B15/017 , C22C13/00 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105
Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中与半导体元件(3)的接合面，设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料而形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的从电路层(12)表面至厚度30μm的区域中，通过EBSD测定而测定的平均结晶粒径被设定为10μm以下，焊锡层(20)的组成为，作为主成分含有Sn，并且含有0.01质量％以上1.0质量％以下的Ni、0.1质量％以上5.0质量％以下的Cu，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时，热阻上升率低于10％。
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公开(公告)号：CN104347331A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410326925.5
申请日：2014-07-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐高压并且能够实现小型化的熔断器。本发明的熔断器具备：绝缘性基板(2)；一对电极(3)，形成于绝缘性基板上；熔丝部(4)，其两端与一对电极连接；及绝缘性封装材料(5)，在绝缘性基板上至少覆盖熔丝部，其中，熔丝部以至少一部分隆起的方式形成于所述两端之间的中间部，并且，在中间部与绝缘性基板之间设置有至少横跨一对电极之间的空间(S)。并且，熔丝部形成为横切一对电极之间的剖面形状呈大致波状的大致波板状。
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