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公开(公告)号：CN102349136A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011199.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/14 , B08B7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02071 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够以简单的装置构造实施，用于以短时间对形成有微细图案的基板进行清洗，并不会对该微细图案坏带来影响。从对晶片(W)的表面实施规定的加工的处理腔室向实施晶片(W)的清洗的清洗腔室输送晶片(W)，在清洗腔内将晶片(W)冷却到规定温度，将作为超流体的超流动氦供给到晶片(W)的表面，从晶片(W)的表面使超流动氦流出，由此冲走微细图案内的污染成分。
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公开(公告)号：CN101637766B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910161234.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B08B3/02
CPC classification number: B08B3/10 , B08B13/00 , B08B2230/01
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法，能够进行比以往效率高的清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置(100)具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器(2)、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口(5)、连接纯水水蒸气生成容器和供给口的供给管路(4)、从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的回收口(6)、将使用完毕水蒸气凝结并回收的回收容器(8)、以及连接回收口(6)和回收容器(8)的回收管路(7)。
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公开(公告)号：CN101930562A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010212525.3
申请日：2010-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守屋刚
CPC classification number: G06Q30/06 , G06Q30/0283 , G06Q30/04 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种能够对使用微粒产生因素判断系统的用户产生激励作用的微粒产生因素判断系统以及收费方法。微粒产生因素判断系统具备用户输入微粒图的用户接口装置和服务器装置，在该微粒产生因素判断系统中，服务器装置根据微粒图来算出关于多个微粒产生因素中的每个微粒产生因素的准确度，用户接口装置显示所算出的各准确度、与该准确度对应的关于各微粒产生因素的产生因素关联信息的标题等，服务器装置将产生因素关联信息提供给用户接口装置，并且对产生因素关联信息的提供进行收费，收费金额是至少根据与所提供的产生因素关联信息对应的微粒产生因素的准确度来决定的。
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公开(公告)号：CN101777487A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010126106.8
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守屋刚
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67201
Abstract: 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。
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公开(公告)号：CN101657888A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011161.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4402
Abstract: 本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统(10)具有粉体状物质源供给系统(12)和成膜处理装置(11)。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源(13)(羰基钨)的安瓿容器(14)；向安瓿容器内供给载体气体的载体气体供给装置(16)；连接安瓿容器和成膜处理装置的粉体状物质源导入管(17)；从粉体状物质源导入管分支的吹扫管(19)；和开闭粉体状物质源导入管的开闭阀(22)。在成膜处理前，在关闭开闭阀且对吹扫管内排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276737A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086841.3
申请日：2008-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: 一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。
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公开(公告)号：CN100418187C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410031210.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。
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公开(公告)号：CN1516535A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310115779.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , B01J19/02 , C23C4/10 , C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种可抑制形成为掺杂涂层的喷镀膜剥离的等离子体处理容器内部件。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽生涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号：CN119585854A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054506.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供评价装置、评价方法和计算机程序。评价装置包括：获取关于组装在基片处理装置的部件的表面温度分布的数据的获取部；和基于获取到的关于所述部件的表面温度分布的数据，评价所述部件的组装精度的评价部。
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公开(公告)号：CN112956003B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
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