公开(公告)号：CN109148328A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN108396351A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810309409.X

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN108140551A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058670.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 琳·张 ,  路雪松 ,  安德鲁·V·勒 ,  原铮 ,  吴昌锡 ,  约瑟夫·杰米尔·法拉 ,  王荣平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。

公开(公告)号：CN107924860A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680045422.8

申请日：2016-07-12

Applicant: 昕芙旎雅有限公司

Inventor： 铃木淳志 ,  谷山育志

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/00

CPC classification number: B65G49/00 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供在将FOUP连接于壳体时能够将周边空间保持清洁的装载端口。该装载端口包括：基体(41)，其构成将输送空间(9)与外部空间隔离的壁的一部分；开口部(92)，其设于基体(41)；门(81)，其能够进行开口部(92)的开闭、盖体相对于收纳有收纳物的容器的固定和固定的解除；以及第1密封构件(94)，其用于将基体和容器之间密封，门(81)的容器侧的端面(81c)的至少一部分位于比第1密封构件(94)的容器侧的端部靠输送空间(9)侧的位置。

公开(公告)号：CN107731710A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710681134.8

申请日：2017-08-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 理查德·H·古尔德 ,  坎迪·克里斯托弗森 ,  古斯塔沃·G·弗兰肯 ,  詹姆斯·范高赫 ,  本杰明·W·莫瑞

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明涉及一种用于提高系统生产力的平台架构。一种用于衬底处理系统的装载站，其包括第一和第二竖直堆叠的装载站。第一装载站包括第一气锁容积以及布置在第一装载站的相应端部处的第一和第二阀。第一和第二阀构造成选择性地提供到第一气锁容积的路径，并且包括分别构造成打开和关闭第一阀和第二阀的第一和第二致动器，并且第一和第二致动器从第一装载站向下延伸。第二装载站包括第二气锁体积，以及布置在第二装载站的相应端部处的第三和第四阀。第三和第四阀构造成选择性地提供到第二气锁容积的路径，并且包括分别构造成打开和关闭第三和第四阀的第三和第四致动器。

公开(公告)号：CN103168350B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201180049666.0

申请日：2011-10-05

Applicant: EV ,  集团有限责任公司

Inventor： P.林德纳 ,  P-O.杭维尔

IPC: H01L21/67

CPC classification number: B65G47/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片（15）的一种装置，该装置具有至少一个预处理模块（9）、至少一个后处理模块（11）以及至少一个主处理模块（10），其中该预处理模块（9）和该后处理模块（11）作为该主处理模块（10）的闸是可开关的，以及本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片的一种相应的方法。

公开(公告)号：CN103400789B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310332646.5

申请日：2013-08-01

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 任大清

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781

Abstract: 本发明的用于晶圆处理工艺的设备平台系统及其晶圆传输方法，包括工作平台，其每个侧面用于挂载工艺腔；置顶式晶圆装载装置，固定于工作平台的上表面，包括：晶圆盒装载单元；晶圆装载单元，相对于晶圆盒装载单元设置，其具有内部空腔；中央机械手，位于晶圆盒装载单元和晶圆装载单元之间；装载门，用于封闭或打开内部空腔；晶圆托架，位于内部空腔中；关断门，位于内部空腔底部，用于将工作平台内部打开或封闭住；工作平台的顶部具有开口，位于内部空腔下方，与关断门相对，关断门能够将该开口封闭住。本发明的设备平台系统，减小了占地面积，提高了空间利用率和晶圆传输效率。

公开(公告)号：CN104051310B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310342266.X

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世宏

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明公开了将晶圆保持在恒定压力下的晶圆载体，其中该恒定压力的预设值低于或者高于大气压力，以防止传统晶圆载体中因暴露在大气中而导致的晶圆污染，并且还公开了使用该晶圆载体的晶圆传输系统以及方法。以预设承载压力来填充的晶圆载体被传输并与包括气锁室、真空传送模块及工艺室的晶圆处理设备的气锁室相对接。气锁室通过气泵调整内部压力以相继地先与开启承载门之前的承载压力相等，然后与开启真空传送模块的门之前的真空传送模块压力。然后，晶圆被传送到工艺室中。在处理之后，晶圆被传送回晶圆载体中并在被卸载以及传输到下一晶圆处理设备之前以预设承载压力来填充。本发明还公开了压控晶圆载体以及晶圆传输系统。

公开(公告)号：CN107026104A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611113293.X

申请日：2016-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢佳暐 ,  王泓智 ,  黄宏麟

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67196 ,  B05C11/06 ,  C23C18/1691 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719

Abstract: 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶片的晶片载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间，以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶片。

公开(公告)号：CN104025278B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280064260.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村直树 ,  佐藤重光 ,  大空弘树 ,  金子俊则

IPC: H01L21/677 ,  C23C14/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/54 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201

Abstract: 装载闭锁装置(1)具备：装载闭锁室(4)，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物(S)；支撑台(13)，其收纳于装载闭锁室(4)的内部，支撑处理对象物(S)；以及慢速通气单元(15)，其设置于装载闭锁室(4)，向处于真空状态的装载闭锁室(4)的内部供应通气气体，使装载闭锁室(4)的内部切换为大气压状态。慢速通气单元(15)相对于支撑台(13)左右对称地配置。