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公开(公告)号：CN105517017B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510915509.3
申请日：2015-12-10
Applicant: 中北大学
CPC classification number: Y02D70/122
Abstract: 本发明提供了一种基于簇的无线传感器网络的外围边界和覆盖空洞识别方法，方法首先从边界节点中选取2个信标节点，然后对网络中的边界节点进行分簇，利用簇建立2个信标节点间的最短闭合路径，从而分离出无线传感器网络的外围边界节点；接着利用上述方法对边界节点集中的剩余节点分类，识别出所有覆盖空洞。本发明的基于簇聚类实现无线传感器网络边界和覆盖空洞识别，不依赖位置信息，可有效降低无线传感器网络的部署成本，也可实现在无线传感器网络定位装置失效情况下的网络边界和覆盖空洞识别问题，算法复杂度低，节省了运行时间，识别精度达到90％以上；同时本方法大大节约了节点定位所需的能量消耗，有效的延长了网络的生命周期。
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公开(公告)号：CN105050099B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510424643.3
申请日：2015-07-17
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种分布式无线传感器网络边界节点识别方法，方法利用DSCS技术识别传感器网络中的边界节点，方法可应用于功能、传感和通信范围相同的匀质或不同的非均匀无线传感器网络。该方法过程如下：(1)节点自主收集网络中邻居信息；(2)每一节点以自己为圆心建立笛卡尔坐标系并计算其邻居节点的绝对角；(3)以绝对角升序排列邻居节点；(4)利用DSCS识别边界节点。本发明解决了传统无线传感器网络边界节点识别精度低的技术难题，将无线传感器网络边界节点识别问题分解为一个节点的传感扇区边缘覆盖问题，有效降低了算法复杂度，减少了运行时间和边界节点识别过程中节点间的通信与能量消耗，提高了识别精度。
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公开(公告)号：CN108020588A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711114670.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 中北大学
IPC: G01N27/407
CPC classification number: G01N27/4075 , G01N27/4071 , G01N27/4077
Abstract: 本发明提供一种低功耗微热板型高温气体传感器及制作方法，属于传感器的技术领域，包括微热板结构和催化剂；微热板结构包括桥式基底、设置在桥式基底正面的支撑膜层、设置在支撑膜层上的加热元件、设置在加热元件上且将加热元件封装在内的隔离层以及设置在隔离层上的测量电极；隔离层上设置有引线孔；催化剂和测量电极通过引线孔分别与加热元件接触；桥式基底为碳化硅；支撑膜层和隔离层均为未掺杂多晶碳化硅薄膜；加热元件为n‑型掺杂多晶碳化硅薄膜；测量电极为金属铂电极；催化剂为负载贵金属纳米颗粒的氮化硼气凝胶。该传感器功耗低、有效缓解了高温下隔离层与加热元件热应力失配问题、可满足高温恶劣环境下的可燃气体成分的原位测试需求。
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公开(公告)号：CN103700722B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201310630796.4
申请日：2013-12-02
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , G01J5/12
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及热电堆红外探测器，具体是一种架空式热电堆红外探测器。进一步改进了热电堆红外探测器。所述探测器的加工步骤包括：1、在SOI衬底正面加工两隔离槽，划分出了两个热电偶加工区；2、加工SiO2介质支撑膜；3、加工构成热电偶的P/N型多晶硅条；4、加工下层SiO2隔离层及后续加工用金属连接加工孔；5、完成金属连接；6、加工上层SiO2隔离层及后续加工用释放孔；7、加工聚酰亚胺牺牲层及露出热电堆热结区的倒梯形凹槽；8、加工用作热辐射吸收层的三层薄膜结构；9、去除聚酰亚胺牺牲层；10、将SiO2介质支撑膜下的热电偶加工区空腔化；11、实现架空式热辐射吸收层。本发明结构设计合理，制作工艺易于实现，成品性能提高明显，具有良好的发展前景。
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公开(公告)号：CN105043264B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510229468.2
申请日：2015-05-07
Applicant: 中北大学
Inventor： 刘文怡 , 侯钰龙 , 张会新 , 苏珊 , 刘佳 , 张彦军 , 沈三民 , 王红亮 , 苏淑婧 , 谭秋林 , 崔永俊 , 甄成方 , 雷海卫 , 赵利辉 , 熊继军 , 刘俊
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于宏弯损耗效应的位移检测传感器。通过宏弯引起光纤内模场畸变，引起宏弯损耗。由两根塑料裸光纤形成双绞宏弯辐射耦合结构，利用宏弯损耗效应实现两根光纤之间的耦合，称为宏弯辐射耦合。通过宏弯半径改变宏弯损耗的光能量，引起接收光纤内光功率变化，从而实现对物体位移的检测。首次将宏弯辐射耦合结构应用于位移检测，同时实现了低成本，低功耗，高性能的位移传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105517017A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510915509.3
申请日：2015-12-10
Applicant: 中北大学
CPC classification number: Y02D70/122 , H04W24/02 , H04W84/18
Abstract: 本发明提供了一种基于簇的无线传感器网络的外围边界和覆盖空洞识别方法，方法首先从边界节点中选取2个信标节点，然后对网络中的边界节点进行分簇，利用簇建立2个信标节点间的最短闭合路径，从而分离出无线传感器网络的外围边界节点；接着利用上述方法对边界节点集中的剩余节点分类，识别出所有覆盖空洞。本发明的基于簇聚类实现无线传感器网络边界和覆盖空洞识别，不依赖位置信息，可有效降低无线传感器网络的部署成本，也可实现在无线传感器网络定位装置失效情况下的网络边界和覆盖空洞识别问题，算法复杂度低，节省了运行时间，识别精度达到90％以上；同时本方法大大节约了节点定位所需的能量消耗，有效的延长了网络的生命周期。
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公开(公告)号：CN105357732A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510915450.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 中北大学
CPC classification number: H04W40/246 , H04W84/18
Abstract: 本发明提供了一种不依赖位置信息的无线传感器网络边缘节点识别方法，首先确定当前节点1跳邻居节点和2跳邻居节点，确定当前节点的2跳邻居，1跳和2跳邻居的合集是否能组成闭合环，确定闭合环中控制节点的最短路径树T，若T深度小于3则当前节点为边缘节点，否则压缩闭合环，若压缩后的闭合环包含当前节点的2跳邻居节点，则当前节点判断为边缘节点。本发明利用节点连接信息和节点环绕包围的思想能够精确识别无线传感器网络中的边界节点，实现了在无节点坐标位置信息的情况下基于节点之间的连接信息识别无线传感器网络的网络边缘和覆盖空洞的边缘节点，解决了传统识别算法需要节点位置信息的缺陷，识别精度达到90％以上。
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公开(公告)号：CN102253171B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110181459.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 中北大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及一种电子鼻，具体为一种便携式仿生电子鼻。本发明解决了现有电子鼻因结构不合理导致携带不方便且在受到粉尘、静电等影响时无法正常工作以及气体无法与传感器阵列充分接触的问题。一种便携式仿生电子鼻，包括圆形壳体；圆形壳体的一端开有进气口，圆形壳体的另一端开有出气口；圆形壳体内设有传感器安装体，传感器安装体内安装有4-12个传感器；圆形壳体上开有两个凹槽，两个凹槽内分别放有显示模块和电路模块；圆形壳体的一端固定有手柄，手柄内设有电源。本发明设计巧妙，可广泛应用于气体检测领域。
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公开(公告)号：CN103279027A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310181745.8
申请日：2013-05-16
Applicant: 中北大学
IPC: G05B11/42
Abstract: 本发明涉及电路系统稳定性的控制装置，尤其涉及光学陀螺系统的稳定性控制装置，具体为一种基于谐振式光学陀螺系统的数字模拟复合PID控制器，包括比例运算放大器、积分运算电路、微分运算电路和比例加法器，还包括FPGA控制芯片、第一AD转换模块、第二AD转换模块、第一程控电阻、第二程控电阻、第三程控电阻和程控电容。本发明提供了一种数字模拟复合PID控制器，此控制器将原先模拟PID控制器中的可调电阻和可调电容变换为可通过芯片自动控制的程控电阻和程控电容，使得控制器的参数调节、选取简单精确，解决了模拟PID控制器控制方式不灵活、控制精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN103234567A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310097312.4
申请日：2013-03-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明为一种基于阳极键合技术的MEMS电容式超声传感器，解决了传统的电容式超声传感器结构设计不合理、灵敏度低、杂散电容大等问题。本发明包括通过阳极键合技术键合在一起的一体化下电极和图形化上电极，一体化下电极包括上表面开设有若干圆柱形盲孔腔的玻璃衬底，各圆柱形盲孔腔之间通过开设连接腔连通，圆柱形盲孔腔和连接腔的底部溅射有金属层和二氧化硅层；图形化上电极包括若干圆形SOI硅片，各圆形SOI硅片之间通过十字形SOI硅片连接。本发明传感器结构新颖、重量轻、体积小，具有可控性高、灵敏度大、杂散电容小等优点，并且该传感器的工艺流程步骤少、工艺周期短，适合于批量化生产。
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