一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112921290A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110098754.5

    申请日:2021-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法,涉及正比计数管技术领域,其技术方案要点是:将正比计数管壁展开为平板状或切开为半圆筒状;采用磁控溅射技术在基体表面沉积一层过渡涂层;在不破坏真空、保持Ar气总流量不变的情况下,采用磁控10B靶来沉积中子吸收层;将步制备的带过渡涂层、中子吸收层的基体以模具压卷方式进行弯卷,将弯卷后的基体沿管件接口处进行密封焊接。本发明在沉积中子吸收层之前增加了过渡涂层的制备,提高了不锈钢或铝合金金属基体与中子吸收层之间的结合强度;本发明采用磁控溅射技术,可较好地解决手工刷涂和浸酯涂硼引起的涂层结合性、均匀性、重复性差及有机介质引起的离子能量损失等缺点。

    一种中子探测器信号的高速采集系统

    公开(公告)号:CN111917387A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010812489.8

    申请日:2020-08-13

    Abstract: 本发明公开了一种中子探测器信号的高速采集系统,包括宽频带低噪声放大器、高绝缘弱电流放大器、高速数字采集处理器、高压电源、供电模块和控制终端;宽频带低噪声放大器用于对计数管输出信号进行预放大;高绝缘弱电流放大器用于对电离室输出信号进行预放大;高速数字采集处理器用于采集宽频带低噪声放大器的输出信号或高绝缘弱电流放大器的输出信号;高压电源用于对电离室或宽频带低噪声放大器供电;控制终端与高速数字采集处理器进行数据交互,实现对系统的控制以及数据的采集与处理。本发明提出的高速采集系统能够实现中子探测器输出的宽量程、低噪声信号的高速采集、处理、存储、分析和显示。

    自给能中子探测器外壳材料性能加速老化分析方法及系统

    公开(公告)号:CN117571749A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311578126.2

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明公开了自给能中子探测器外壳材料性能加速老化分析方法及系统,包括:以辐照损伤程度作为自给能中子探测器组件外壳材料辐照损伤程度指标,通过蒙特卡洛工具,模拟计算自给能中子探测器组件外壳材料在设定服役期限累积中子注量条件下的辐照损伤程度数值;采用重离子束流对自给能中子探测器组件外壳材料样品进行辐照,确定重离子束流辐照自给能中子探测器组件外壳材料样品造成等效辐照损伤程度数值所需的参数;采用纳米压痕技术测定辐照后的样品在不同辐照损伤程度下的硬度变化情况,计算辐照样品的屈服强度和拉伸强度;并分析在该辐照强度下探测器拔出堆芯过程中是否会发生断裂或裂纹。本发明能够有效评估堆芯自给能探测器组件的使用寿命。

    堆外高灵敏度中子探测器及布局系统

    公开(公告)号:CN112259265B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202011132890.3

    申请日:2020-10-21

    Abstract: 本发明公开了堆外高灵敏度中子探测器及布局系统,包括中子感应芯体(2),中子感应芯体(2)内设置有至少2个灵敏段,灵敏段依次从上至下沿中子感应芯体(2)的纵向长度方向依次排列布置。本发明将1个整体灵敏段分割为多个独立的灵敏段,这些独立的灵敏段各自独立输出感应电信号,同时设置对应的处理电路,将这些感应信号叠加在一起,其灵敏度等同于整个高度方向长度的灵敏段的效果。因此,本发明设置了多个独立的灵敏段,但要求这些灵敏段在高度方向上从上至下依次排列,以满足对堆芯高度方向的全覆盖的,从而从叠加角度实现高灵敏度的目的。

    一种宽量程核测量装置的量程衔接方法及系统

    公开(公告)号:CN115966320A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211704790.2

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种宽量程核测量装置的量程衔接方法及系统,涉及核测量技术领域;对宽量程核测量装置的各测量通道进行计数率一致性处理;并根据一致性处理后的计数率计算各测量通道的反应堆周期;由各测量通道的计数率划分出有效量程上限区间、有效量程下限区间和有效量程重复区间;最后基于各测量通道的计数率和反应堆周期确定各个区间的测量通道;在两个测量通道均有效时,同时计算两个通道的反应堆周期,并选取计数率较大测量通道的反应堆周期作为最终反应堆周期值输出;利用数据率的变化率计算确定测量通道进而得到反应堆周期,不受元器件性能参数漂移的影响,有效避免了在量程切换时误触发短周期停堆的现象。

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