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公开(公告)号：CN111463346B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010225621.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4
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公开(公告)号：CN115036417A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210480717.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
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公开(公告)号：CN114944452A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN112285519B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111384238B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1‑x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1‑x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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公开(公告)号：CN111244271B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010058952.4
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100‑x‑y‑h‑z‑u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。
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公开(公告)号：CN113539311A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110724690.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电，同时提高存储单元可靠性。
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公开(公告)号：CN113488093A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754913.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置，方法包括以下步骤：将存储器单元操作至低阻态；根据所述存储器单元的电阻变化特性，提取一组电脉冲，使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加；使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储，并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作，确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗，提高效率，节约成本，提高多级存储成功率。
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公开(公告)号：CN111635701B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005‑20％；抑制剂0.1‑100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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