一种低功耗相变存储器的制备方法

    公开(公告)号:CN115036417A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210480717.5

    申请日:2022-04-19

    Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括:(1)在衬底上生长第一介质层,并形成圆柱状底电极;(2)在第一介质层上形成第二介质层,光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1,(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层,回刻蚀;(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层,然后生长第四电介质层并填满沟槽1,抛光;(5)生长导电薄膜层,并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条;(6)生长第五电介质层,然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2,抛光;(7)圆孔1光刻和刻蚀,孔内填充导电材料,然后抛光,形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在,大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。

    选通管材料、选通管单元及存储器件结构

    公开(公告)号:CN111384238B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN201811623426.7

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构,选通管材料为至少包括Ge及S的化合物,所述选通管材料的化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy,其中,M包括掺杂材料,且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1‑x材料,该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点;本发明的选通管材料通过在GexS1‑x材料中掺入掺杂材料,可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能;可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。

    一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244271B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010058952.4

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本申请提供一种相变材料,所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素,所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu,其中,x、y、h、z、u均指元素的原子组分,且满足0≤x≤50,0≤y≤50,0≤z≤90,0≤z≤90,0≤u≤90,0<100‑x‑y‑h‑z‑u<100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料,且该体系相变材料相变前后电阻差值大,具有非常强的可调性,从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性,较高的数据保持力,较快的结晶速度。

    一种实现存储器多级存储的方法及装置

    公开(公告)号:CN113488093A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110754913.2

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置,方法包括以下步骤:将存储器单元操作至低阻态;根据所述存储器单元的电阻变化特性,提取一组电脉冲,使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加;使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储,并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作,确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态,用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗,提高效率,节约成本,提高多级存储成功率。

Patent Agency Ranking