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公开(公告)号：CN109963159A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910041668.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 中山大学
IPC: H04N19/467
Abstract: 本发明提供了一种基于STC编码的二值图像双重扰动评分的信息隐写算法,该算法以改进后的crmiLTP失真度量方法对图像进行扰动评分，考虑隐写前与隐写后像素点翻转对扰动映射图的影响，在分块隐藏的基础上，以高效STC编码嵌入秘密信息，最终设计出一种视觉失真小、安全性较高的隐写算法。本发明在考虑载体图像性质基础上，设定双重扰动评分准则，对图像边缘区域的可翻转点进行双向评价分析，结合STC编码，使得算法具有较高的图像质量、较小的视觉失真以及一定的抗隐写分析检测性能，对安全隐秘通信具有非常大的作用。
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公开(公告)号：CN102231351B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110104930.8
申请日：2011-04-26
Applicant: 中山大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种改善碳纳米管阴极场发射均匀性的后处理方法：通过阳极板和固定安装了作为碳纳米管阴极的阴极安装架构成场发射装置，将该场发射装置放在高真空度真空腔内，阳极板与阴极分别与一电源的两极相连。通过该电源提供电压，使该阴极中高度或导电性高于平均水平的碳纳米管首先发射电子，向真空腔通入一定压强的氧气使首先发射电子的碳纳米管加速烧灼以将其除去，余下的碳纳米管性能趋于一致，场发射均匀性提高。所述后处理方法还设置摄像机与监视屏，实时观察场发射址图像及测量场发射特性。
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公开(公告)号：CN119694865A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411795811.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种X射线产生装置。该装置包括：固定铜块、旋转转子、旋转部件、多个微纳结构阳极靶、电子枪、控制单元；所述旋转转子和固定铜块同轴设置；所述旋转转子上沿轴向设置有多个微纳结构阳极靶，且多个微纳结构阳极靶与旋转转子轴心距离相等，均为第一距离；所述固定铜块沿轴向设置有第一通道，所述第一通道与固定铜块轴心的距离为第二距离，所述第一距离和第二距离相等；每个所述微纳结构阳极靶与固定铜块的端面接触；所述电子枪的发射端与第一通道位于相同水平线上；所述旋转部件与旋转转子的轴心连接，带动旋转转子沿轴心转动；所述控制单元分别与旋转部件、电子枪连接，用于控制旋转部件的旋转和电子枪的开关。该装置性能好、体积小、散热佳。
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公开(公告)号：CN117174552A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310962245.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 中山大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种电子束形可调控的共面四极聚焦结构冷阴极电子枪，包括阴极、栅极、下聚焦极、共面四极聚焦结构、上聚焦极、阳极和隔离体；所述阴极、栅极、下聚焦极、共面四极聚焦结构、上聚焦极、阳极的中心位于同一轴心上，且由下到上依次设置，并通过隔离体将各个电极结构组合为一体结构；共面四极聚焦结构可设置不同电压值，通过调控电压参数组合形成非均匀截面空间电场；通过调节施加于共面四极聚焦结构的电压值组合，产生非均匀截面电场，实现对电子束进行束形、焦斑径向移动调控。本发明技术实现方法简单，能够根据应用对象需求产生不同形状要求的电子束，在微波太赫兹波真空电子器件、电子束曝光、电子显微成像等中有应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117088744A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311059102.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 中山大学
IPC: C07B39/00 , C07C17/363 , C07C19/14 , C07C19/08 , C07C22/08 , C07C25/18 , C07C29/62 , C07C33/46 , C07D209/48 , B01J31/02 , B01J35/00 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C253/30 , C07C255/50 , C07C269/06 , C07C271/22 , C07C271/14 , C07C51/363 , C07C57/58 , C07C67/287 , C07C69/76 , C07C69/753 , C07D211/38 , C07C45/63 , C07C49/84 , C07D239/34 , C07D493/10 , C07D221/20 , C07D207/273 , C07D211/96 , C07D249/04 , C07D275/06 , C07D213/26 , C07F9/40 , C07J9/00 , C07J1/00
Abstract: 本发明公开了一种酮类化合物催化烷基羧酸脱羧构建含氟化合物的方法。以具有如式 所示结构的烷基羧酸为反应原料，在酮类化合物、含氟试剂和碱的共同作用下，进行反应，得到 所示氟化物，所述式(1)和式(2)中，R1分别独立地选自氢、杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烃基；R2分别独立地选自氢、杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烃基；R3分别独立地选自氢、杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烃基。本发明的反应方法具备成本低廉、条件温和、反应高效、产率和选择性高等优势，采用酮类化合物替代传统金属催化剂，不仅可为候选药物筛选提供结构多样的氟化物库，同时该方法有望应用到正电子发射断层扫描成像。
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公开(公告)号：CN107416808B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201710729825.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 中山大学
IPC: C01B32/188 , C01B32/162
Abstract: 本发明涉及一种一步制备石墨烯‐碳纳米管纳米复合结构的方法。本方法基于等离子体增强化学气相沉积原理，在含有催化元素的金属或半导体衬底上直接生长碳纳米管，同时在碳纳米管壁上直接外延生长石墨烯，形成以碳纳米管为基体的石墨烯片复合结构；在生长条件得到满足的情况下，碳纳米管和石墨烯片的尺寸会同时增大；石墨烯与碳纳米管界面以碳‐碳化学键结合方式，形成欧姆接触特性。本发明方法简单，一步实现石墨烯和碳纳米管的同时生长，这种新型的碳纳米复合结构在电子发射、能量转换、能量存储等器件中有着重要应用。
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公开(公告)号：CN109885987A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910069390.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提出一种基于方向性局部二值模式的二值图像隐写分析方法，首先设置自适应阈值参数，在使用crmiLTP对二值图像进行扰动度量后，使用3×3像素点块模板对扰动得分图进行扫描，根据各像素点对应扰动得分数值大小及方向性得出局部二值模式值，然后利用各二值模式值出现频率提取特征，在特征提取时充分利用设置的阈值，对像素点所有扰动得分值之间的大小及方向关系进行遍历，最后选取最优检测效果对应阈值，能够使训练出的分类模型达到最佳的隐写分析准确率。在对使用不同隐写算法生成的隐秘图像进行隐写分析时可以设置不同阈值，从而使得在确保有效性的同时又有很强的针对性。
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公开(公告)号：CN107195542A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710399401.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 中山大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，本方法基于化学气相沉积原理直接在具有催化元素的金属衬底上外延生长碳纳米管。通过热氧化还原反应在衬底表面形成催化元素的氧化物层，通过氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距的匹配，碳原子以有序结构方式在金属衬底上外延生长碳纳米管；碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键方式结合在一起，形成欧姆接触特性。本发明方法技术实现简单，可实现碳纳米管与衬底的直接互联，在电子器件中有重要应用。
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