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公开(公告)号：CN114246955A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111585774.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 中山大学附属第三医院(中山大学肝脏病医院) , 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米粒及其制备方法与应用，属于医用材料方法技术领域；本发明的技术方案提供的制备方法为将FA‑PEG4000‑PLGA10000、PLGA10000‑PEOz和IR780碘化物溶解于有机溶剂中，接着加入PFOB，声震乳化混合均匀后加入聚乙烯醇声震乳化混合，接着再加入异丙醇，搅拌、离心，将离心所得上清液再离心三次，每次离心后取沉淀物重新分散于PBS溶液中，最后一次离心时取沉淀物，得纳米粒；采用本发明制备方法得到的纳米粒具有pH响应特性，在中性环境下，结构稳定，在pH为酸性的肿瘤组织中球状结构崩解，近红外荧光信号增强，从而能够特异性显示隐匿性微小转移病灶，导航精准肿瘤切除，提高卵巢癌患者预后潜力。
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公开(公告)号：CN112210605B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011176816.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 中山大学附属第六医院 , 中山大学
IPC: C12Q1/6886 , C12Q1/6883 , G16B20/20 , G16B20/30 , G16B25/20 , G16B40/30 , G16B45/00
Abstract: 本发明公开了用于评估组织免疫反应和诊断预后的DNA甲基化检测试剂盒。发明人研究发现使用CpG位点cg02430840、cg06113913和cg12673499中的至少1个可以可靠地评估组织免疫反应和诊断预后，特别是CRC中CD8+ TILs水平及其预后。有望成为CD8+ TILs的研究工具，以及成为指导结直肠癌和其他癌症免疫治疗的潜在标志物。
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公开(公告)号：CN112210605A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011176816.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 中山大学附属第六医院 , 中山大学
IPC: C12Q1/6886 , C12Q1/6883 , G16B20/20 , G16B20/30 , G16B25/20 , G16B40/30 , G16B45/00
Abstract: 本发明公开了用于评估组织免疫反应和诊断预后的DNA甲基化检测试剂盒。发明人研究发现使用CpG位点cg02430840、cg06113913和cg12673499中的至少1个可以可靠地评估组织免疫反应和诊断预后，特别是CRC中CD8+TILs水平及其预后。有望成为CD8+TILs的研究工具，以及成为指导结直肠癌和其他癌症免疫治疗的潜在标志物。
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公开(公告)号：CN114357540B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202210033939.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种新型CRO电路结构及其CRO PUF电路，其中CRO电路结构包括1个与非门、2n+1个二路选通器；每2个二路选通器组成一级延时单元，剩余的1个二路选通器单独组成最后一级延时单元，一共设n+1级延时单元；所述的与非门有两个输入端，与非门的输出端分别与第一级延时单元中的两个二路选通器的数据输入端相连；上一级延时单元中的两个二路选通器的输出端均与下一级延时单元中的两个二路选通器的输入端连接；第n级延时单元的两个二路选通器的输出端均与最后一级延时单元的二路选通器的输入端连接；最后一级延时单元的二路选通器的输出端与与非门的另一个输入端连接；其中，2n+1个二路选通器的配置端分别由相互独立的配置信号进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119170466A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411300952.5
申请日：2024-09-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提出一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法，涉及纳米电子技术领域，所述双层场发射冷阴极电子源包括从下至上依次连接的第一阴极、绝缘层、第二阴极和栅极；所述第一阴极包括导电衬底和第一层场发射体，第一层场发射体设置于导电衬底的上表面；所述第二阴极包括导电网格和第二层场发射体，第二层场发射体设置于导电网格的上表面，通过提高冷阴极发射体的有效发射面积，提升了场发射电流和电流密度；其制造方法简单、通用性高、可重复性高，有利于场发射电子源的电流提升，为推进大电流电子源在真空微电子器件应用提供了可行方案。
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公开(公告)号：CN117630269A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311359846.X
申请日：2023-10-19
Applicant: 中山大学
IPC: G01N31/00
Abstract: 本发明涉及模拟实验设备领域，公开了一种模拟固体碳源对脱氮特性影响的实验装置，它包括箱体和安装板，所述箱体内放置有储水桶和废液桶，所述箱体的顶部安装有蠕动泵，所述安装板上固定有三个PVC管柱，所述PVC管柱内填充有固体碳源填充料，所述蠕动泵的进水端安装有提液管，位于下方的所述柱塞内插入有进液管，三根所述进液管均与所述蠕动泵的出水端连接，位于上方的所述柱塞内插入有出液管，所述出液管的中部设置有A采样管，所述PVC管柱的侧壁上由上至下依次设置有B采样管和C采样管。本发明的有益效果是：可以研究不同类型固态碳源在磷梯度条件下对酸性高硫酸盐人工河水中NO3‑N的去除效果，以保障反硝化生物反应墙的后期制定方案。
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公开(公告)号：CN111333054B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010165304.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 中山大学
IPC: C01B32/168 , C01B32/16
Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，所述转移方法包括步骤如下：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。本发明所述转移方法操作简单，成本低廉，技术难度小，其采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与生长衬底的接触界面，使得直立碳纳米管阵列从生长衬底上脱离，解决了直立碳纳米管无损转移的问题。
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公开(公告)号：CN114357540A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210033939.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种新型CRO电路结构及其CRO PUF电路，其中CRO电路结构包括1个与非门、2n+1个二路选通器；每2个二路选通器组成一级延时单元，剩余的1个二路选通器单独组成最后一级延时单元，一共设n+1级延时单元；所述的与非门有两个输入端，与非门的输出端分别与第一级延时单元中的两个二路选通器的数据输入端相连；上一级延时单元中的两个二路选通器的输出端均与下一级延时单元中的两个二路选通器的输入端连接；第n级延时单元的两个二路选通器的输出端均与最后一级延时单元的二路选通器的输入端连接；最后一级延时单元的二路选通器的输出端与与非门的另一个输入端连接；其中，2n+1个二路选通器的配置端分别由相互独立的配置信号进行控制。
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公开(公告)号：CN111261473B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010241224.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法，该制作方法利用纳米结构体局部自加热效应在微纳导电基体上熔接生长在导电衬底上的单根一维纳米结构，以形成欧姆接触接合；利用金属探针以电熔断方式截取单根一维纳米结构，使得单根一维纳米结构与导电衬底脱离，形成基于微纳导电基体的单根一维纳米结构冷阴极。本发明所述的制作方法简单且具有通用性，可基于不同类型的一维纳米材料在不同材质、不同形状的微纳导电基体上制作单根一维纳米结构冷阴极。这种单根一维纳米结构冷阴极应用于高亮度、相干电子源，在电子束光刻、电子显微镜、科学研究装置等中有着重要应用。
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