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公开(公告)号：CN101496175B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200780028312.1
申请日：2007-08-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置，在飘移层(30)上设有构成源电极(100)与漏电极(110)之间的载流子流路的一部分的沟道层(40)。沟道层(40)由形成于飘移层(30)上的Ge粒状晶体与覆盖该Ge粒状晶体的帽层构成。
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公开(公告)号：CN101496175A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028312.1
申请日：2007-08-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置，在飘移层(30)上设有构成源电极(100)与漏电极(110)之间的载流子流路的一部分的沟道层(40)。沟道层(40)由形成于飘移层(30)上的Ge粒状晶体与覆盖该Ge粒状晶体的帽层构成。
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公开(公告)号：CN102449208B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980159593.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
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公开(公告)号：CN103534792A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023671.9
申请日：2012-05-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102325929A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008632.2
申请日：2010-02-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B19/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/872
Abstract: 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1956213A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610136555.4
申请日：2006-10-25
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 财团法人日本精细陶瓷中心
Abstract: 一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的半导体材料，使用该半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面，富－碳表面满足比率R＝(I284.5/I282.8)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器(XPS)测量时，I282.8(ISiC)是在与化学计量SiC有关的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度，以及I284.5(IC)是在与石墨、SiCx(x＞1)或SiyCH1－y(y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度。
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公开(公告)号：CN102449208A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200980159593.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
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公开(公告)号：CN102301481A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006058.7
申请日：2010-01-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/0485 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种p型SiC半导体元件的欧姆电极，其包括由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上的欧姆电极层。本发明还提供一种形成p型SiC半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上。该方法包括：在p型SiC半导体的表面上以原子组成比例Ti∶Si∶C为3∶1∶2的方式来包括Ti、Si和C的三元混合膜，以制造层压膜；以及在真空下或者在惰性气体气氛下对所制造的层压膜退火。
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