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公开(公告)号：CN101796227B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880025381.1
申请日：2008-11-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X(X为Ni和Co之中的至少一种)元素的Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高。
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公开(公告)号：CN102264955B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201080003461.4
申请日：2010-03-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04
Abstract: 在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。
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公开(公告)号：CN101932757B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980103467.6
申请日：2009-01-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 在使P型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述P型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。
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公开(公告)号：CN101932757A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103467.6
申请日：2009-01-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 在使p型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述p型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。
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公开(公告)号：CN101910476A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102150.0
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102325929B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080008632.2
申请日：2010-02-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B29/36 , H01L21/04 , C30B15/00 , C30B19/00
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B19/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/872
Abstract: 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102057083B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980100137.1
申请日：2009-07-21
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B15/32
CPC classification number: C30B9/00 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T428/2918
Abstract: 本发明提供可防止或抑制使用熔液法的多晶的生成且以高的生长速度使单晶生长的使用熔液法的结晶生长用籽晶轴。本发明的使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶轴，是在籽晶支持部件上介有下述碳片接合籽晶而成的，所述碳片在与原料熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性，并且它是通过粘合剂层叠了多片的碳制薄膜的叠层碳片、将以格子状配置了层叠方向不同的多个小片的叠层碳片、将碳制带从中心卷绕成同心圆状的卷绕型碳片、或者将厚度不同的多个碳制带以从中心趋向外周厚度变厚的方式进行了层叠卷绕的叠层卷绕型碳片。
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公开(公告)号：CN102264955A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201080003461.4
申请日：2010-03-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04
Abstract: 在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。
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公开(公告)号：CN101965419A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980102202.4
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 通过使碳化硅单晶基底与含C的溶液接触而使碳化硅单晶在该基底上生长的方法，所述含C的溶液是通过使C溶解到含Cr和由Ce和Nd中的至少一种元素构成的X的熔体中而制备的，使得Cr在该熔体整个组成中的比例为30至70原子％，且X在该熔体整个组成中的比例在X是Ce的情况下为0.5原子％至20原子％或者在X是Nd的情况下为1原子％至25原子％，并使碳化硅单晶从该溶液中生长。
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公开(公告)号：CN104583469A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044037.8
申请日：2013-08-29
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人信州大学
CPC classification number: H01M10/0562 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B29/30 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0071
Abstract: 本发明的主要目的在于，提供一种钙钛矿结构的固体电解质单晶及其制造方法。本发明涉及钙钛矿结构的固体电解质单晶的制造方法以及通过该制造方法制造的钙钛矿结构的固体电解质单晶，该制造方法具有：加热工序，通过将用于制造钙钛矿结构的固体电解质单晶的原料加热至固体电解质的熔点以上的温度而得到熔体；冷却工序，将得到的熔体冷却至固体电解质的凝固点以下的温度。
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