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公开(公告)号：CN105050433A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380053729.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A23L3/28
CPC classification number: A23L3/28 , A23L3/003 , A23L3/3409 , A61L2/10 , A61L2/24
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。紫外辐射源的目标波长范围和/或目标强度范围可以对应于包括灭菌操作配置和保存操作配置的多个可选择的操作配置当中至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104856185A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510249047.6
申请日：2015-02-25
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A23L3/005
Abstract: 本发明涉及包括紫外线照明的存储设备。紫外辐射被指向区域中。位于区域中的物品和/或区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调节由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调节可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置之一。
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公开(公告)号：CN104853625A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380053801.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。紫外辐射源的目标波长范围和/或目标强度范围可以对应于包括病毒破坏操作配置和细菌消毒操作配置的多个可选择的操作配置当中至少一个。每个配置可以包括目标波长范围和目标强度范围的唯一组合。
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公开(公告)号：CN206026884U
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201620631904.9
申请日：2016-06-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种杀菌系统。该杀菌系统包括紫外辐射源的组；柔性波导结构的组，被配置为支撑紫外辐射的组并将具有目标属性的组的紫外辐射指引到期望位置，其中该柔性波导结构的组包括至少一个透明表面，其中柔性波导结构的组中的柔性波导结构是中空管，并且其中紫外辐射源的组直接耦合到柔性波导结构的组，使得至少百分之五十的紫外辐射进入柔性波导结构的组。本实用新型能够用于杀菌领域。本实用新型的技术效果是得到一种改进的杀菌系统。
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公开(公告)号：CN205621763U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620205930.5
申请日：2016-03-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。要解决的一个技术问题是提供用于改进半导体层的生长的图案化表面。该半导体器件包括衬底，所述衬底包括具有有助于在其上生长缓冲层的一组属性的图案化表面，其中图案化表面包括多个平坦的顶表面和具有多个底表面的多个开口，以及其中多个平坦的顶表面中的至少一个或者多个底表面中的至少一个被图案化用于具有对应于器件工作波长的辐射。本实用新型的一个方面的技术效果是，通过使用改进的图案化表面和构造用来在图案化表面上进行导波辐射的至少一个表面可以提高半导体器件的光学性质。
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公开(公告)号：CN205845936U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620160480.2
申请日：2016-03-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：包含半导体层的半导体结构；以及至半导体层的基本上线性的穿孔接触件，穿孔接触件包含：由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件，其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度；以及位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。本实用新型用于半导体器件中。本实用新型的一个方面的目的是提供至半导体结构中的半导体层的穿孔欧姆接触件。本实用新型的一个方面的技术效果是相应半导体器件的操作、稳定性以及寿命可以通过采用改进的欧姆接触件而提升。
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