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公开(公告)号:CN111587220B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201880073819.7
申请日:2018-06-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
Abstract: 根据本发明的实施方案的制造碳纳米结构体的方法涉及:通过在含碳气体流中使紧密附着在一起的多个催化剂颗粒分离,从而在多个催化剂颗粒之间生长碳纳米管的生长步骤;以及保持至少一个催化剂颗粒并且借助于含碳气体的风压使碳纳米管延伸的延伸步骤。
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公开(公告)号:CN109328177B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201780035892.0
申请日:2017-03-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明一个方面的制造碳纳米结构体的方法是如下所述的方法:在将可分离体以远离基体的方式相对地移动的同时在所述基体与所述可分离体之间制造碳纳米结构体,所述基体包含作为主要成分的可渗碳金属,所述可分离体以线状或带状与所述基体接合或接触并且包含作为主要成分的可渗碳金属。所述方法包括:渗碳气体供给步骤;氧化气体供给步骤;加热步骤,其中对所述基体的所述基体与所述可分离体相互接合或接触的部分进行加热;以及分离步骤,其中将所述可分离体以远离所述基体的方式相对地移动。
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公开(公告)号:CN108349729B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201680066044.1
申请日:2016-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。
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公开(公告)号:CN108349729A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680066044.1
申请日:2016-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。
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公开(公告)号:CN103118770B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180046314.X
申请日:2011-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C02F1/44 , B01D65/02 , B01D2313/12 , B01D2321/04 , B01D2321/168 , B01D2321/185 , C02F1/441 , C02F1/444 , C02F2103/008 , C02F2103/08 , C02F2303/16
Abstract: 本发明提供了一种疏水性过滤膜清洗方法,该疏水性过滤膜用于对海水、排放水、压舱水等包含胶状悬浮物的待处理的水进行膜过滤,并且被待处理的水中的悬浮物堵塞,使所述过滤膜与含柠檬烯的水接触;或者利用清洗液对过滤膜进行逆洗,然后将其中吸入有空气的液流施加到过滤膜的表面上,或者将水流由喷射器喷嘴而喷洒至过滤膜上。还提供了一种能够有效进行上述清洗方法的膜过滤装置。
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公开(公告)号:CN104640613A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201380048048.3
申请日:2013-09-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01D33/067 , B01D29/21 , B01D29/54 , B01D29/96 , B01D33/0006 , B01D33/073 , B01D33/35 , B01D33/39 , B01D2033/07 , B01D2201/0423 , B01D2201/342 , B01D2201/347 , B63B17/00 , B63J4/002 , C02F1/00 , C02F2103/008
Abstract: 本发明涉及过滤装置,包括:筒状过滤器(F),其具有竖直的筒轴线;以及壳体(C),其围绕过滤器(F)。未处理的水(a)从过滤器(F)的外周表面到内周表面而被过滤器(F)过滤,得到的过滤水(a')被导出到壳体C的外部。过滤器(F)沿筒轴线的方向被分割为多个分割式过滤器,并且能够容易地修理和更换分割式过滤器。分割式过滤器通过使用螺纹连接件(36)经由加强杆(33)进行连接而组成一体并且能够单个地拆除。当密封部件(38)设置在分割式过滤器的相向的上表面之间时,各分割式过滤器防止未处理的水不从上下表面流出;密封部件与过滤器一起旋转并且不滑动,因此,劣化极小并且还减少过滤器的旋转驱动力。优选地,分离式加强体(40)由中间支撑圆板(42)和连杆(43)构成并且连杆设置在过滤器内。
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公开(公告)号:CN101451265A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810169408.6
申请日:1999-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B11/00 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , Y10T428/265
Abstract: 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片,可以抑制外延层生长时产生滑移位错,能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm-2的平面平均位错密度,2.5-20.0×1015cm-3的碳浓度,2.0-20.0×1016cm-3的硼浓度,最多为1×1017cm-3的除碳和硼外的杂质浓度,5.0-10.0×1015cm-3的EL2浓度,1.0-5.0×108Ωcm的电阻率,及最大为1.0×10-5的光弹性分析测得的平均残余应变。
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公开(公告)号:CN102762271B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201180010387.3
申请日:2011-02-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01D29/21 , B01D29/6446 , B01D29/74 , B01D29/92 , B01D33/073 , B01D33/39 , B01D33/463 , B01D35/303 , B01D2201/583 , B63J4/002 , C02F1/001 , C02F1/325 , C02F2103/008 , C02F2209/11 , C02F2303/04 , Y02T70/36
Abstract: 本发明提供用于船舶的压载水处理装置及方法,压载水处理装置能够被安装在船舶上并且将从船舶排放的压载水或装载在船舶中的压载水中的微生物有效地杀灭或灭活。压载水处理装置包括:过滤器(1),其设置为围绕轴线的圆筒且设置为可绕着轴线旋转;被处理水喷嘴(2),其朝向过滤器(1)的外周表面喷射被处理水;壳体(3),其设置为围绕过滤器(1)且包括外圆筒部(31),外圆筒部(31)在内部具有被处理水喷嘴(2)的喷嘴开口(21);已过滤水流路(7),其用于将已透过过滤器(1)的已过滤水从过滤器(1)的圆筒的内部引导至壳体(3)的外部;以及排放流路(8),其用于将未被过滤器(1)过滤的排放水排放至壳体(3)的外部。
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公开(公告)号:CN103379950B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201280007040.8
申请日:2012-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C02F1/00 , B01D29/21 , B01D29/54 , B01D29/6446 , B01D2201/583 , B63J4/002 , C02F1/004 , C02F2103/008
Abstract: 一种压载水处理装置,包括:过滤器,其以筒状方式形成以围住轴线;壳体,其包括布置成围住过滤器的外筒部;旋转机构,其使过滤器围绕轴线旋转;未处理水喷嘴,其将未处理水喷射至过滤器周围区域,该过滤器周围区域由过滤器的外周面和外筒部限定;洗净水喷嘴,其朝过滤器的外周面喷射洗净水;已过滤水通道,已通过过滤器的已过滤水从过滤器内部区域经由已过滤水通道流到壳体的外部;以及排出通道,未通过过滤器的排出水从过滤器周围区域经由排出通道排出至壳体的外部。
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