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公开(公告)号：CN1823393A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020328.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01L39/2448
Abstract: 一种用于制造氧化物超导线的方法，包括在与用于氧化物制备的靶(7)最多100mm的距离(L)的位置设置金属带(6)的步骤；和采用气相淀积法在所述金属带(6)上形成氧化物超导层的步骤，同时保持所述金属带(6)与所述靶(7)之间保持最多100mm的距离(L)以5m/h或以上的速度传输所述金属带(6)。
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公开(公告)号：CN103874661A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180073959.2
申请日：2011-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C02F1/441 , B01D61/025 , B01D61/04 , B01D71/36 , B01D2325/20 , C02F1/444 , C02F2103/08 , C02F2303/20 , Y02A20/131
Abstract: 本发明提供一种盐水淡化预处理用分离膜和盐水淡化预处理装置，利用该装置能够以高去除率除去TEP，同时保持快速流速并恒定地向RO膜供给足够量的原水而不用升高压力。本发明也提供一种盐水淡化方法。该盐水淡化预处理用分离膜用于利用反渗透膜的盐水淡化之前的预处理。当以恒定流量进行过滤时，标准流量A为2m/d以上，该标准流量A定义为在最初30分钟内的平均膜间压差P1和经过120分钟后30分钟内的平均膜间压差P2之间能够满足P2≤1.5×P1的最大流量；并且糖类去除率B或碳颗粒去除率C为0.3以上，优选为0.5以上。该糖类去除率B和碳颗粒去除率C由下式表示：糖类去除率B=(1-滤过水中糖类的含量/原水中糖类的含量)，碳颗粒去除率C=1-(滤过水中的POC/原水中的POC)，其中POC=悬浮有机碳的含量（总有机碳含量和溶解性有机碳含量之间的差）。
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公开(公告)号：CN1265016C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02804474.6
申请日：2002-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/087 , C23C14/28 , C23C14/505
Abstract: 本发明公开了一种可以在大面积的基板上形成膜的成膜方法和成膜装置。在该成膜方法中，从靶材(14)的表面使成膜材料飞散，通过使该飞散的成膜材料堆积在基板(12)上而形成膜。该成膜方法包括：使基板(12)的表面相对靶材(14)的表面成一定的角度而配置基板(12)和靶材(14)的工序，和使基板(12)相对靶材(14)移动到相对的位置处，同时在二维方向上连续地增加薄膜表面的面积，从而在基板(12)上形成膜的成膜工序。
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公开(公告)号：CN101449341B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200780018363.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/30 , C23C14/06 , H01L39/143 , H01L39/2422 , H01L39/2425 , H01L39/2448 , Y10S505/813 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开了一种能够同时获得如高JC和高IC的优良性能并降低成本的超导薄膜材料(1)，所述超导薄膜材料(1)包括取向金属衬底(10)和在该取向金属衬底(10)上形成的氧化物超导膜(30)。所述氧化物超导膜(30)包括通过物理气相沉积法形成的物理气相沉积HoBCO层(31)和通过有机金属沉积法在所述物理气相沉积HoBCO层(31)上形成的有机金属沉积HoBCO层(32)。
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公开(公告)号：CN103857461A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280050206.4
申请日：2012-10-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01D61/58 , B01D61/025 , B01D61/14 , B01D65/003 , B01D65/02 , B01D67/0027 , B01D71/36 , B01D2313/04 , B01D2321/10 , B01D2321/16 , B01D2321/18 , B01D2321/2075 , B01D2325/02 , C02F1/441 , C02F2103/08 , Y02A20/131
Abstract: 该分离膜（35）可用于使用反渗透膜处理水的水处理装置中。所述分离膜（35）设置有多个岛状部分、以及从该岛状部分延伸并且比该岛状部分细的呈纤维状的多个纤维状部分。使由纤维状部分占据的膜表面的面积大于由岛状部分占据的面积。该水处理单元设置有：壳体（30）；前述分离膜（35），其安装在所述壳体（30）中；以及清洁装置（33），其安装在壳体（30）上并能够清洁分离膜（35）。该水处理装置设置有：第一水处理单元，其能够对待处理水进行预处理；第二水处理单元，其能够对待处理水进行主处理。该第一水处理单元设置有前述水处理单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103118770A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046314.X
申请日：2011-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C02F1/44 , B01D65/02 , B01D2313/12 , B01D2321/04 , B01D2321/168 , B01D2321/185 , C02F1/441 , C02F1/444 , C02F2103/008 , C02F2103/08 , C02F2303/16
Abstract: 本发明提供了一种疏水性过滤膜清洗方法，该疏水性过滤膜用于对海水、排放水、压舱水等包含胶状悬浮物的待处理的水进行膜过滤，并且被待处理的水中的悬浮物堵塞，使所述过滤膜与含柠檬烯的水接触；或者利用清洗液对过滤膜进行逆洗，然后将其中吸入有空气的液流施加到过滤膜的表面上，或者将水流由喷射器喷嘴而喷洒至过滤膜上。还提供了一种能够有效进行上述清洗方法的膜过滤装置。
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公开(公告)号：CN1997779B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200580023975.5
申请日：2005-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01L39/2461 , C23C14/024 , C23C14/028 , C30B29/22
Abstract: 本发明披露了薄膜材料和制造该薄膜材料的方法，用该方法能够提高形成于基板上的膜的性质。超导线材1包括基板2、形成于基板上并包括一层或至少两层的中间薄膜层(中间层3)、和形成于中间薄膜层(中间层3)上的单晶薄膜层(超导层4)。在中间薄膜层(中间层3)的至少一层中与单晶薄膜层(超导层4)相对的上表面(被研磨面10)是研磨过的。
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公开(公告)号：CN100379684C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03809275.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/087 , C23C14/28 , H01L39/2448
Abstract: 本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照把，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超导膜。
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公开(公告)号：CN1833295A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022579.6
申请日：2004-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2454
Abstract: 一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP－V。还公开了一种制造这种超导线的方法。由于取向金属衬底的平坦化同时保持了衬底表面层内的双轴取向，因此超导线具有高超导性能。
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公开(公告)号：CN1649794A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809275.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/087 , C23C14/28 , H01L39/2448
Abstract: 本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照靶，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超导膜。
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