金刚石单晶和单晶金刚石工具

    公开(公告)号:CN106884202A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201610991581.9

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明涉及金刚石单晶和单晶金刚石工具。根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的,且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的单晶金刚石工具包含由金刚石单晶制成的刀尖,其中所述金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的,且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的金刚石单晶和单晶金刚石工具具有高硬度和高韧性、在工具的制造中易于加工、具有与包含天然金刚石或高温高压合成Ib型金刚石的工具的耐破裂或耐碎裂性相等或更高的耐破裂或耐碎裂性、且在切削时具有长寿命和高抗断裂性。

    单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

    高硬度多晶金刚石及其制备方法

    公开(公告)号:CN101228095B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200680026569.9

    申请日:2006-07-21

    Inventor: 角谷均

    Abstract: 本发明提供一种可用于切削工具、整形器、模具和其它加工工具以及挖掘钻头等的具有足够的强度、硬度和耐热性并且致密而匀质的多晶金刚石,以及具有由该多晶金刚石形成的切削刃的切削工具。该多晶金刚石基本上只由金刚石构成,并且是在超高压和超高温以及在不使用烧结助剂或催化剂的条件下、由含有非金刚石型碳物质的原料组合物直接转化成金刚石并进行烧结而形成的,其中所述多晶金刚石具有这样的混合显微组织,该混合显微组织包含最大粒径为100nm以下且平均粒径为50nm以下的金刚石细晶粒以及粒径为50nm-10,000nm的片状或者颗粒状的金刚石粗晶粒。

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