公开(公告)号：CN103262218A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059838.2

申请日：2011-12-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田俊介

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808

Abstract: 制备一种具有衬底表面（12B）的碳化硅衬底（10）。形成绝缘膜（15）以便覆盖衬底表面（12B）的一部分。在衬底表面（12B）上形成接触电极（16），以便接触绝缘膜（15）。接触电极（16）包含Al、Ti和Si原子。接触电极（16）包括由包含Al原子以及Si原子和Ti原子中的至少任一种的合金制成的合金膜（50）。对接触电极（16）进行退火以便碳化硅衬底（10）和接触电极（16）彼此建立欧姆连接。因此，在采用具有Al原子的接触电极的情况下，可提高绝缘膜的绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN105164322A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024728.6

申请日：2014-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  松岛彰 ,  久保田良辅 ,  冲田恭子 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

公开(公告)号：CN104995739A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008928.2

申请日：2014-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田俊介 ,  堀井拓 ,  木岛正贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。

公开(公告)号：CN102959694A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001186.1

申请日：2012-01-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田俊介 ,  增田健良

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068

Abstract: 通过掩膜层（31）中的开口（OP）将第一导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。分别形成由第一和第二材料制成的第一和第二膜（32，33）。在各向异性蚀刻过程中感测对第一材料执行的蚀刻，且随后停止各向异性蚀刻。通过由第一和第二膜（32，33）而变窄的开口（OP）将第二导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。因此，可以以精确地自对准方式形成杂质区。