成像装置及其驱动方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101262552B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200810085213.3

    申请日:2008-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种成像装置及其驱动方法。提供了一种消除读取低分辨率的图像和读取高分辨率的图像的复杂性并避免帧率降低的成像装置。所述装置包括:像素区,包括多个像素元件,并将对象的入射光成像为图像;以及读取单元,对来自像素区的像素元件进行稀疏化处理以读取低分辨率的稀疏化图像,并从像素区的局部区读取分辨率高于稀疏化图像的分辨率的局部图像(水平移位寄存器和垂直移位寄存器),其中,读取单元从互相不同的像素元件读取稀疏化图像和局部图像,并将稀疏化图像和局部图像读取为不同的成像帧。

    半导体装置和设备
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114730784A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080080720.7

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 光电二极管PD2中包括的光电转换构件部署在与区块B1重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B2重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B3重叠的位置处。各自与半导体层10一起形成MIS结构的多个电极25设置在半导体层10的表面FS上,其中,多个电极25中的至少一个与八个区块B2至B9中的至少一个重叠。

    光电转换器件、测距装置和信息处理系统

    公开(公告)号:CN106449669A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610640179.6

    申请日:2016-08-05

    Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括:被配置为产生电子的第一光电转换部分;被配置为产生空穴的第二光电转换部分;包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷-电压转换部分,电荷-电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压;和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分,信号产生部分包含放大晶体管。

    成像系统以及驱动所述成像系统的方法

    公开(公告)号:CN101621632A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910151324.4

    申请日:2009-06-30

    CPC classification number: H04N5/357 H04N5/378

    Abstract: 本发明公开了一种成像系统以及驱动所述成像系统的方法。本发明的目的在于提供一种能够改善S/N比率并且增加动态范围的成像系统以及一种适合于所述改善和增加的成像系统的驱动方法。该成像系统包括:固态成像器件,其具有按矩阵布置的多个像素、各自与所述像素的一列对应的列放大器、以及用于输出基于所述列放大器所进行的放大的图像信号的输出部;和信号处理部,用于接收所述图像信号,其中,所述列放大器按大于1的增益q对从所述像素输出的信号进行放大,并且所述信号处理部将基于按增益q所放大的信号的图像信号乘以小于1的因子。

    成像装置及其驱动方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101262552A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810085213.3

    申请日:2008-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种成像装置及其驱动方法。提供了一种消除读取低分辨率的图像和读取高分辨率的图像的复杂性并避免帧率降低的成像装置。所述装置包括:像素区,包括多个像素元件,并将对象的入射光成像为图像;以及读取单元,对来自像素区的像素元件进行稀疏化处理以读取低分辨率的稀疏化图像,并从像素区的局部区读取分辨率高于稀疏化图像的分辨率的局部图像(水平移位寄存器和垂直移位寄存器),其中,读取单元从互相不同的像素元件读取稀疏化图像和局部图像,并将稀疏化图像和局部图像读取为不同的成像帧。

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