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公开(公告)号：CN108632544B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810216003.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 公开了固态成像设备、成像系统和能移动的物体。固态成像设备包括：多个像素，每个像素包括光电转换单元；第一保持部，保持从光电转换单元传送的电荷；第二保持部，保持从第一保持部传送的电荷；和放大器单元，输出基于第二保持部中的电荷的信号。光电转换单元包括第一导电类型的第一半导体区域、在其下面的第二导电类型的第二半导体区域、在其下面的第一导电类型的第三半导体区域和在其下面的第二导电类型的第四半导体区域。第一保持部包括第二导电类型的第五半导体区域和在其下面的在设置第三半导体区域的深度处的第一导电类型的第六半导体区域。在第三和第六半导体区域之间设置与第三和第六半导体区域相比具有更低电位的半导体区域。
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公开(公告)号：CN106887441B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611143924.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
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公开(公告)号：CN106449668B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201610637968.4
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14
Abstract: 本公开涉及光电转换元件、装置、距离检测传感器和信息处理系统。一种光电转换元件包括：第一光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的电子；第二光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的空穴；第一浮置扩散区，在第一光电转换单元中产生的电子被传输到第一浮置扩散区；第二浮置扩散区，在第二光电转换单元中产生的空穴被传输到第二浮置扩散区；放大晶体管，其包括电连接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的栅极；第一电荷排出单元，其被配置为排出在第一光电转换单元中产生的电子；以及第二电荷排出单元，其被配置为排出在第二光电转换单元中产生的空穴，其中，第一光电转换单元和第二光电转换单元沿着半导体基板的主表面布置。
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公开(公告)号：CN108632544A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810216003.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , B60W30/09 , B60W2420/403 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H04N5/359 , H04N5/374
Abstract: 公开了固态成像设备、成像系统和能移动的物体。固态成像设备包括：多个像素，每个像素包括光电转换单元；第一保持部，保持从光电转换单元传送的电荷；第二保持部，保持从第一保持部传送的电荷；和放大器单元，输出基于第二保持部中的电荷的信号。光电转换单元包括第一导电类型的第一半导体区域、在其下面的第二导电类型的第二半导体区域、在其下面的第一导电类型的第三半导体区域和在其下面的第二导电类型的第四半导体区域。第一保持部包括第二导电类型的第五半导体区域和在其下面的在设置第三半导体区域的深度处的第一导电类型的第六半导体区域。在第三和第六半导体区域之间设置与第三和第六半导体区域相比具有更低电位的半导体区域。
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公开(公告)号：CN114429961A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111265262.7
申请日：2021-10-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。该光电转换设备包括：具有第一半导体器件层的第一基板，该第一半导体器件层包括多个光电转换单元和阱；以及具有第二半导体器件层的第二基板，该第二半导体器件层包括被配置为对多个光电转换单元所获得的信号进行处理的电路，其中，第一基板和第二基板层压在一起，其中，第一半导体器件层包括有效像素区域、光学黑像素区域和外周区域，其中，在平面图中，由遮光层形成的遮光区域与光学黑像素区域重叠，并且该遮光区域不与外周区域重叠，其中，外周区域具有电荷排出区域，该电荷排出区域包括与信号电荷相同的导电类型的半导体区域，以及其中，向电荷排出区域供给固定电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244205A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911169442.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和移动装置。一种光电转换设备包括第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域。第一半导体区域是第一导电类型，设在距第一面的深度为第一深度的位置处。第二半导体区域是第二导电类型，设在比第一深度深的第二深度处，与第一半导体区域接触，并且从第二面侧被施加第一电位。第三半导体区域是第二导电类型，从第一深度延伸到比第二深度浅的第三深度，并与第一半导体区域和第二半导体区域接触。第三半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度，并且被施加低于第一电位的第二电位。
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公开(公告)号：CN106887441A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611143924.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
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公开(公告)号：CN106449668A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610637968.4
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14
Abstract: 本公开涉及光电转换元件、装置、距离检测传感器和信息处理系统。一种光电转换元件包括：第一光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的电子；第二光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的空穴；第一浮置扩散区，在第一光电转换单元中产生的电子被传输到第一浮置扩散区；第二浮置扩散区，在第二光电转换单元中产生的空穴被传输到第二浮置扩散区；放大晶体管，其包括电连接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的栅极；第一电荷排出单元，其被配置为排出在第一光电转换单元中产生的电子；以及第二电荷排出单元，其被配置为排出在第二光电转换单元中产生的空穴，其中，第一光电转换单元和第二光电转换单元沿着半导体基板的主表面布置。
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公开(公告)号：CN102301477B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN102301477A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
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