使用双镶嵌工艺制造半导体器件和含连通孔的制品的方法

    公开(公告)号:CN100552916C

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200610164091.8

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法,其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件,并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型,以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜,该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后,通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜,以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

    模具、压印方法和用于生产芯片的工艺

    公开(公告)号:CN1928711A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610128187.9

    申请日:2006-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种模具,它既使在可光固化的树脂材料设置于模具与待处理的部件之间的状态下也能够高精度地实现模具和待处理的部件的校准,该模具通过一个由第一材料形成的基板(2010)和一个由不同于第一材料的第二材料形成的校准标记(2102)构成。第一材料和第二材料具有对于在一部分紫外线波长范围内的光线的透射性。第二材料具有不小于1.7的折射率。

    压印方法和使用压印方法的基板的处理方法

    公开(公告)号:CN101765809A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200880100985.8

    申请日:2008-08-01

    CPC classification number: G03F7/0002 B29C33/424 B82Y10/00 B82Y40/00

    Abstract: 一种用于将模具的图案压印到基板上的树脂材料上的压印方法包括:通过使模具与在基板上形成的树脂材料相接触而形成第一处理区域和在第一处理区域的周边的树脂材料的外侧区域的步骤,其中在所述第一处理区域中形成与模具的图案相对应的压印图案;在第一处理区域上形成用于保护第一处理区域的第一保护层的步骤;以及在第一处理区域中的树脂材料层上形成的压印图案受到第一保护层保护从而不被去除的同时去除外侧区域中的树脂材料层的步骤。

    模具、压印方法和用于生产芯片的工艺

    公开(公告)号:CN1928711B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610128187.9

    申请日:2006-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种模具,它即使在可光固化的树脂材料设置于模具与待处理的部件之间的状态下也能够高精度地实现模具和待处理的部件的校准,该模具通过一个由第一材料形成的基板(2010)和一个由不同于第一材料的第二材料形成的校准标记(2102)构成。第一材料和第二材料具有对于在一部分紫外线波长范围内的光线的透射性。第二材料具有不小于1.7的折射率。

    使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法以及制造具有连通孔的制品的方法

    公开(公告)号:CN101667555A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910175121.9

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法,其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件,并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型,以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜,该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后,通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜,以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

    模子、图案形成方法以及图案形成设备

    公开(公告)号:CN101604124A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200910140939.7

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 本发明提供一种用于形成图案的图案形成方法,包括:制备模子(104),该模子(104)具有包括图案区域(1000)的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及被设在远离第二表面并靠近第一表面的位置处的对准标记(2070);使模子(104)的图案区域(1000)与设在衬底(5000)上的涂覆材料接触;在涂覆材料被设于衬底(5000)上的对准标记(2070)和衬底(5000)彼此相对的部分处的情况下,通过利用对准标记(2070)和在衬底(5000)上设置的标记(5300),来获得关于模子(104)和衬底(5000)的位置信息;以及在所述信息的基础上,实施衬底(5000)与模子(104)的高精度对准;相应的模子以及图案形成设备。

    使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法以及制造具有连通孔的制品的方法

    公开(公告)号:CN1979803A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN200610164091.8

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法,其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件,并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型,以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜,该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后,通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜,以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

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