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公开(公告)号：CN105323506A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463215.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14667 , H04N5/2173
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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公开(公告)号：CN105321970A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510320636.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/78 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14687
Abstract: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。
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公开(公告)号：CN102637712B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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公开(公告)号：CN102800683A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210159758.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括：多个焦点检测像素，每个焦点检测像素都包括光电转换元件，光电转换元件具有光接收表面；以及多个布线层，用以读取由光电转换元件提供的信号，光电转换设备还包括遮光膜，该遮光膜覆盖光电转换元件的一部分并且具有放置为比多个布线层的最下方布线层的下表面更接近以下平面的下表面：该平面包括光电转换元件的光接收表面并与光接收表面平行。
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公开(公告)号：CN102630343A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201080054061.6
申请日：2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14683
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346490A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811117287.0
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L31/028 , H01L31/09 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固态图像感测元件和成像系统。二维地布置的多个像素中的每一个包括光电转换单元和设在光电转换单元上的微透镜，所述光电转换单元包括像素电极、设在像素电极上的光电转换层和对电极，并被设置为将光电转换层夹在该对电极与像素电极之间。所述多个像素包括第一像素和多个第二像素。满足以下两项中的至少任一项：所述多个第二像素的像素电极比第一像素的像素电极小，或者所述多个第二像素的对电极比第一像素的对电极小；并且第一像素的对电极与微透镜之间的配置与所述多个第二像素中的每一个的对电极与微透镜之间的配置相同。
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公开(公告)号：CN105321971B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510463213.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态图像感测元件和成像系统。二维地布置的多个像素中的每一个包括光电转换单元和设在光电转换单元上的微透镜，所述光电转换单元包括像素电极、设在像素电极上的光电转换层和对电极，并被设置为将光电转换层夹在该对电极与像素电极之间。所述多个像素包括第一像素和多个第二像素。满足以下两项中的至少任一项：所述多个第二像素的像素电极比第一像素的像素电极小，或者所述多个第二像素的对电极比第一像素的对电极小；并且第一像素的对电极与微透镜之间的配置与所述多个第二像素中的每一个的对电极与微透镜之间的配置相同。
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公开(公告)号：CN105830219A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201380081797.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14679 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/66901 , H01L29/66909 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L31/1126
Abstract: 结型场效应晶体管的特性变化可以被减小。本发明的实施例是成像装置，该成像装置包括多个像素，每个像素包括设置在半导体衬底中的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括栅极区和沟道区。栅极区和沟道区在平面视图中相互交叉。
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公开(公告)号：CN102668080B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080058403.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；被设置在光入射的半导体基板的第一主表面侧的第一平坦化层；被设置在第一平坦化层上并包含各对于相应的光电转换单元设置的滤色器的滤色器层；以及被设置在滤色器层上用于减小滤色器之间的高度差的第二平坦化层。在所述固态图像拾取装置中，间隙被设置在与滤色器层中的邻近滤色器之间的边界对应的位置中，间隙延伸到第二平坦化层，并且用于密封间隙的密封层被设置在间隙和第二平坦化层上。
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公开(公告)号：CN101800231B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010001545.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 板桥政次
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开一种光电转换器件、图像摄取系统和光电转换器件的制造方法。所述光电转换器件包含：光电转换单元，被布置在半导体基板中；电荷保持部分，被布置在半导体基板中，并暂时保持由光电转换单元产生的电荷；第一传送电极，被布置在半导体基板之上的位置处，以将由光电转换单元产生的电荷传送到电荷保持部分；电荷-电压转换器，被布置在半导体基板中，并将电荷转换成电压；和第二传送电极，被布置在半导体基板之上的位置处，以将由电荷保持部分保持的电荷传送到电荷-电压转换器，并且，当从与半导体基板的上表面垂直的方向观看时，第一传送电极被布置为覆盖电荷保持部分并且不与第二传送电极重叠。
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