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公开(公告)号：CN106169489B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610320405.2
申请日：2016-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。
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公开(公告)号：CN102630343B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080054061.6
申请日：2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14683
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。
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公开(公告)号：CN103794615A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310496051.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。
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公开(公告)号：CN105321971A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463213.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L31/028 , H01L31/095 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固态图像感测元件和成像系统。二维地布置的多个像素中的每一个包括光电转换单元和设在光电转换单元上的微透镜，所述光电转换单元包括像素电极、设在像素电极上的光电转换层和对电极，并被设置为将光电转换层夹在该对电极与像素电极之间。所述多个像素包括第一像素和多个第二像素。满足以下两项中的至少任一项：所述多个第二像素的像素电极比第一像素的像素电极小，或者所述多个第二像素的对电极比第一像素的对电极小；并且第一像素的对电极与微透镜之间的配置与所述多个第二像素中的每一个的对电极与微透镜之间的配置相同。
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公开(公告)号：CN102800683B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210159758.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括：多个焦点检测像素，每个焦点检测像素都包括光电转换元件，光电转换元件具有光接收表面；以及多个布线层，用以读取由光电转换元件提供的信号，光电转换设备还包括遮光膜，该遮光膜覆盖光电转换元件的一部分并且具有放置为比多个布线层的最下方布线层的下表面更接近以下平面的下表面：该平面包括光电转换元件的光接收表面并与光接收表面平行。
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公开(公告)号：CN102668080A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058403.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；被设置在光入射的半导体基板的第一主表面侧的第一平坦化层；被设置在第一平坦化层上并包含各对于相应的光电转换单元设置的滤色器的滤色器层；以及被设置在滤色器层上用于减小滤色器之间的高度差的第二平坦化层。在所述固态图像拾取装置中，间隙被设置在与滤色器层中的邻近滤色器之间的边界对应的位置中，间隙延伸到第二平坦化层，并且用于密封间隙的密封层被设置在间隙和第二平坦化层上。
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公开(公告)号：CN101118919B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101609813A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN105830219B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201380081797.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 结型场效应晶体管的特性变化可以被减小。本发明的实施例是成像装置，该成像装置包括多个像素，每个像素包括设置在半导体衬底中的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括栅极区和沟道区。栅极区和沟道区在平面视图中相互交叉。
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公开(公告)号：CN105323506B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510463215.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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