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公开(公告)号：CN119300507A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411708090.X
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN114730784A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080720.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 光电二极管PD2中包括的光电转换构件部署在与区块B1重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B2重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B3重叠的位置处。各自与半导体层10一起形成MIS结构的多个电极25设置在半导体层10的表面FS上，其中，多个电极25中的至少一个与八个区块B2至B9中的至少一个重叠。
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公开(公告)号：CN106449669A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610640179.6
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/142 , G01S17/08
Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括：被配置为产生电子的第一光电转换部分；被配置为产生空穴的第二光电转换部分；包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷-电压转换部分，电荷-电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压；和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分，信号产生部分包含放大晶体管。
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公开(公告)号：CN102301474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN111081727B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910994771.X
申请日：2019-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/10
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和能够移动的物体。光电转换设备包括：半导体基板、第一和第二微透镜、具有红外光透射率的第一滤波器和具有可见光透射率的第二滤波器。被布置为在平面视图中与所述第一滤波器重叠的至少一个光电转换部和被布置为在平面视图中与所述第二滤波器重叠的多个光电转换部各自包括第一半导体区域和第二半导体区域。所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分的杂质浓度比所述多个光电转换部的第二半导体区域中的布置在与所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分相同的深度处的部分的杂质浓度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449669B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201610640179.6
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括：被配置为产生电子的第一光电转换部分；被配置为产生空穴的第二光电转换部分；包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷‑电压转换部分，电荷‑电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压；和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分，信号产生部分包含放大晶体管。
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公开(公告)号：CN111081727A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910994771.X
申请日：2019-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和能够移动的物体。光电转换设备包括：半导体基板、第一和第二微透镜、具有红外光透射率的第一滤波器和具有可见光透射率的第二滤波器。被布置为在平面视图中与所述第一滤波器重叠的至少一个光电转换部和被布置为在平面视图中与所述第二滤波器重叠的多个光电转换部各自包括第一半导体区域和第二半导体区域。所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分的杂质浓度比所述多个光电转换部的第二半导体区域中的布置在与所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分相同的深度处的部分的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN107665897A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628241.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L31/022408 , G01J1/44 , H01G9/2027 , H01L27/14812 , H01L31/062 , H01L31/18 , H01L27/1443
Abstract: 提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
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公开(公告)号：CN119300506A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411708087.8
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN111613631B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010105808.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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