模子、图案形成方法以及图案形成设备

    公开(公告)号:CN101604124B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910140939.7

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 本发明提供一种用于形成图案的图案形成方法,包括:制备模子(104),该模子(104)具有包括图案区域(1000)的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及被设在远离第二表面并靠近第一表面的位置处的对准标记(2070);使模子(104)的图案区域(1000)与设在衬底(5000)上的涂覆材料接触;在涂覆材料被设于衬底(5000)上的对准标记(2070)和衬底(5000)彼此相对的部分处的情况下,通过利用对准标记(2070)和在衬底(5000)上设置的标记(5300),来获得关于模子(104)和衬底(5000)的位置信息;以及在所述信息的基础上,实施衬底(5000)与模子(104)的高精度对准;相应的模子以及图案形成设备。

    对准方法、压印方法、对准设备和位置测量方法

    公开(公告)号:CN101427185A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200780013834.4

    申请日:2007-04-18

    Abstract: 在用于进行两个板状物之间的对准的对准方法中,将配置有第一对准标记的第一板状物和配置有第二对准标记的第二板状物相互相对放置。将第一区域和第二区域布置在通过图像拾取装置所观察的图像拾取区域中相互不重叠的位置处。从基本上与第一和第二板状物的平面内方向垂直的方向,通过图像拾取装置,拾取第一和第二对准标记的图像。通过使用第一对准标记相对于第一区域中的预定位置的偏移的第一信息和第二对准标记相对于第二区域中的预定位置的偏移的第二信息,来进行对准控制。

    曝光设备及曝光方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100419576C

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN02145784.0

    申请日:2002-10-17

    Abstract: 提供一种曝光设备,具备:对准部件,检测形成在晶片上的对准标记;晶片台,保持上述晶片;以及存储部,存储由关于上述晶片的第1信息、关于上述晶片的第2信息、以及通过检查基于上述第1信息而被曝光的上述晶片而求出的重合检查结果所决定的对准参数的值,其中,上述第1信息是通过把对准参数作为第1值来处理通过驱动上述对准部件和上述晶片台而获得的对准信号而获得的,上述第2信息是通过把上述对准参数作为不同于上述第1值的第2值来处理上述对准信号而获得的,其中预测上述晶片基于上述第2信息被曝光时可能产生的重合误差,当上述预测的重合误差好于上述重合检查结果时,将上述第2值决定为上述决定的上述对准参数的值。

    制造半导体设备的方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113515015B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202110323121.X

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 公开了制造半导体设备的方法。通过使用具有掩模台和投影光学系统的曝光装置来制造半导体设备的方法包括通过使用布置在掩模台上的第一掩模来曝光基板的第一时段、通过使用布置在掩模台上的第二掩模来曝光基板的第二时段以及在第一时段与第二时段之间的第三时段。该方法包括:在第三时段的至少一部分中,将布置在掩模台上的第一掩模改变为第二掩模,以及在第一时段和第二时段中,执行控制以调整投影光学系统的光学元件的温度分布,以便减小投影光学系统的像差的改变。第三时段比第一时段短。

    模具、压印方法和用于生产芯片的工艺

    公开(公告)号:CN1928711B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610128187.9

    申请日:2006-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种模具,它即使在可光固化的树脂材料设置于模具与待处理的部件之间的状态下也能够高精度地实现模具和待处理的部件的校准,该模具通过一个由第一材料形成的基板(2010)和一个由不同于第一材料的第二材料形成的校准标记(2102)构成。第一材料和第二材料具有对于在一部分紫外线波长范围内的光线的透射性。第二材料具有不小于1.7的折射率。

    模子、图案形成方法以及图案形成设备

    公开(公告)号:CN101604124A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200910140939.7

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 本发明提供一种用于形成图案的图案形成方法,包括:制备模子(104),该模子(104)具有包括图案区域(1000)的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及被设在远离第二表面并靠近第一表面的位置处的对准标记(2070);使模子(104)的图案区域(1000)与设在衬底(5000)上的涂覆材料接触;在涂覆材料被设于衬底(5000)上的对准标记(2070)和衬底(5000)彼此相对的部分处的情况下,通过利用对准标记(2070)和在衬底(5000)上设置的标记(5300),来获得关于模子(104)和衬底(5000)的位置信息;以及在所述信息的基础上,实施衬底(5000)与模子(104)的高精度对准;相应的模子以及图案形成设备。

    图案转印设备、压印设备和图案转印方法

    公开(公告)号:CN101059650A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200710100809.1

    申请日:2007-04-18

    Abstract: 一种把在具备对准标记的印模上形成的压印图案转印到具备对准标记的基板上,或者转印到置于基板和印模之间的树脂材料上的图案转印方法,所述图案转印方法包括通过把提供给印模的对准标记和提供给参考基板的对准标记布置在第一物体位置,并通过第一图像拾取装置观察对准标记,获得第一图像的第一步骤,通过把提供给参考基板的对准标记布置在与第一物体位置分开的第二物体位置,并通过第二图像拾取装置观察对准标记,获得第二图像的第二步骤,和通过使用第一和第二图像,获得和对准标记之间图像位置方面的差异有关的信息的第三步骤。

    制造半导体设备的方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113515015A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110323121.X

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 公开了制造半导体设备的方法。通过使用具有掩模台和投影光学系统的曝光装置来制造半导体设备的方法包括通过使用布置在掩模台上的第一掩模来曝光基板的第一时段、通过使用布置在掩模台上的第二掩模来曝光基板的第二时段以及在第一时段与第二时段之间的第三时段。该方法包括:在第三时段的至少一部分中,将布置在掩模台上的第一掩模改变为第二掩模,以及在第一时段和第二时段中,执行控制以调整投影光学系统的光学元件的温度分布,以便减小投影光学系统的像差的改变。第三时段比第一时段短。

Patent Agency Ranking