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公开(公告)号：CN1374701A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN01130198.8
申请日：2001-10-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14645 , H04N5/3415 , H04N9/045 , H04N2209/048
Abstract: 提供一种图象摄取装置,包括形成在同一半导体芯片上、沿水平和纵向方向排列的多个图象摄取区域。每一图象摄取区域包括多个沿水平和纵向方向排列的象素,多个纵向扫描电路,用于依次扫描纵向方向上的象素,以彼此独立地扫描纵向方向上的多个图象摄取区域。多个透镜,至少为每一多个图象摄取区域提供这些透镜中的一个,这些透镜用于在图象摄取区域上聚光形成一个图象;以及一个驱动电路,用于驱动多个纵向扫描电路,以使多个纵向扫描电路中每一个的扫描期间的一部分彼此重叠。
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公开(公告)号：CN1349120A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01135767.3
申请日：2001-10-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H04N5/2254 , H04N5/3415
Abstract: 提供了一种图象摄取设备,其中的每一个象素区都具有两维排列的象素,且每个象素都具有一个光电转换单元。该多个象素区被设置在一个单个的半导体芯片上从而通过一个预定的间隔而彼此相邻,且多个微透镜被形成在多个象素区上并在多个象素区之间的该预定间隔中。
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公开(公告)号：CN109378321B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811226086.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/77 , H04N23/55
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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公开(公告)号：CN112216806A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010653112.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 发光装置、曝光系统、摄像显示装置、摄像装置、电子装置、照明装置和移动物体。本公开的一个方面涉及一种发光装置，其包括：第一发光元件，其布置于基板的主面；以及第一透镜，其固定到基板并且在垂直于主面的方向上的平面图中与第一发光元件的第一发光区域的中心重叠。在垂直于主面的方向上的平面图中，第一发光区域的中心和第一透镜的中心在平行于主面的方向上以第一距离彼此远离。
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公开(公告)号：CN109378321A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811226086.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/217 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280658B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510393625.3
申请日：2015-07-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14609 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。根据示例性实施例的光电转换装置包括：包括光电转换单元的像素、输出来自光电转换单元的信号的放大器晶体管以及向放大器晶体管供应复位电压的复位晶体管。光电转换单元包括第一电极、与放大器晶体管电连接的第二电极、光电转换层以及被设置在光电转换层和第二电极之间的绝缘层。像素包括与第二电极电连接的第一电容器。第一电容器的电容值、在第一电极和第二电极之间的第二电容器的电容值以及向像素供应的电压满足某种关系。
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公开(公告)号：CN101609813B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN100498496C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02132339.9
申请日：2002-09-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 高桥秀和
Abstract: 本发明提供了用一片芯片实现具有高性能的AE功能和多点AF功能的测光测距用固体摄像装置及使用该装置的摄像装置，其中在同一半导体基板(107)上集成了用于相对于摄像区域的多个位置进行自动聚焦的多点测距的多个测距用光电变换元件列(1A～7A、1B～7B)，用于点式地进行多个测距位置的测光的点测光用光电变换元件(S1～S7)和用于进行摄像区域全部的测光的全体测光用光电变换元件(W0)。进而，根据本发明，通过进行点测光和全体测光并比较计算各自的测光值，可以判别是顺光状态还是逆光状态。
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公开(公告)号：CN101123671A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710138481.2
申请日：2007-08-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/3598
Abstract: 每个像素都具有：光电转换单元，配置为将光转换为电荷并存储该电荷；放大单元，配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号；以及复位单元，配置为将放大单元的输入部分复位。配置为限制输出线的电压的限幅单元包括：放大电路，用于放大基于输出线的电压的信号；和MOS晶体管，用于基于栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压。所述限幅单元通过放大电路控制MOS晶体管的栅极的电位。
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公开(公告)号：CN101118919A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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