公开(公告)号：CN109070308B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780026381.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  上滨直树 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/30 ,  G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种模板组件的选别方法，包含：准备步骤，准备模板组件，为在底环或底板上同心贴合有模板，模板具有支承工件的里面的背垫以及位于背垫上而用以支承工件的边缘部的保持环，底环及底板具有较模板大的外径；测定步骤，在模板组件的模板侧，对于以底环或底板的外周缘表面为基准面时的保持环及背垫的高度位置分布进行非破坏性测定；算出步骤，自测定的高度位置分布，计算出保持环的平面度，以及关于该经测定的该高度位置分布的该保持环与该背垫的平均段差量；以及选别步骤，基于平面度及平均段差量，选别模板组件。借此，能够调整研磨后的工件的平坦度的分散。

公开(公告)号：CN107004594A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064050.9

申请日：2015-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  桥本浩昌 ,  藤山佳

IPC: H01L21/304 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的研磨方法，将供给至硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中，于经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入混合碱性溶液，而将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中混合碱性溶液包含螯合剂以及包含pH调整剂及研磨速率促进剂的其中一个或是两个，因此能够在将使用过的研磨浆循环提供至硅晶圆而进行研磨时，抑制金属杂质污染，并且使使用过的研磨浆的组成(螯合剂的浓度等)安定。

公开(公告)号：CN105612605A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。