公开(公告)号：CN109643670B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201780051581.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  西泽毅 ,  堀江启贵

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。

公开(公告)号：CN108290269B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201680064805.X

申请日：2016-10-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  上滨直纪

IPC: B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。

公开(公告)号：CN109643670A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051581.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  西泽毅 ,  堀江启贵

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。

公开(公告)号：CN105612605B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN108290269A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680064805.X

申请日：2016-10-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  上滨直纪

IPC: B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。

公开(公告)号：CN109070308A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026381.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  上滨直树 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/30 ,  G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种模板组件的选别方法，包含：准备步骤，准备模板组件，为在底环或底板上同心贴合有模板，模板具有支承工件的里面的背垫以及位于背垫上而用以支承工件的边缘部的保持环，底环及底板具有较模板大的外径；测定步骤，在模板组件的模板侧，对于以底环或底板的外周缘表面为基准面时的保持环及背垫的高度位置分布进行非破坏性测定；算出步骤，自测定的高度位置分布，计算出保持环的平面度及保持环或背垫的平均段差量；以及选别步骤，基于平面度及平均段差量，选别模板组件。借此，能够调整研磨后的工件的平坦度的分散。

公开(公告)号：CN105189045B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480026546.2

申请日：2014-04-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  佐佐木正直

IPC: B24B37/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/32 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种工件的研磨装置，其具备用于研磨工件的研磨布、用于供给研磨剂的研磨剂供给机构，以及用于保持工件的研磨头，该研磨头通过背部衬垫来保持所述工件的背面，并通过环状的模板来保持所述工件的边缘部，且将工件和模板推压至研磨布上，由此来使工件在研磨布上作滑动接触，来研磨工件，该工件的研磨装置的特征在于，模板是由添加有填料的树脂或含有织布的树脂所构成，在推压研磨布的推压面上露出填料或织布，由此来使该推压面具有细微的凹部。由此，提供一种工件的研磨装置，能够使工件外周部的研磨速度稳定，高平坦度地研磨工件。

公开(公告)号：CN118338987A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280083258.5

申请日：2022-12-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 天海史郎 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/26 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。

公开(公告)号：CN107004594B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201580064050.9

申请日：2015-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  桥本浩昌 ,  藤山佳

IPC: H01L21/304 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的研磨方法，将供给至硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中，于经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入混合碱性溶液，而将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中混合碱性溶液包含螯合剂以及包含pH调整剂及研磨速率促进剂的其中一个或是两个，因此能够在将使用过的研磨浆循环提供至硅晶圆而进行研磨时，抑制金属杂质污染，并且使使用过的研磨浆的组成(螯合剂的浓度等)安定。

公开(公告)号：CN105189045A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480026546.2

申请日：2014-04-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  佐佐木正直

IPC: B24B37/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/32 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种工件的研磨装置，其具备用于研磨工件的研磨布、用于供给研磨剂的研磨剂供给机构，以及用于保持工件的研磨头，该研磨头通过背部衬垫来保持所述工件的背面，并通过环状的模板来保持所述工件的边缘部，且将工件和模板推压至研磨布上，由此来使工件在研磨布上作滑动接触，来研磨工件，该工件的研磨装置的特征在于，模板是由添加有填料的树脂或含有织布的树脂所构成，在推压研磨布的推压面上露出填料或织布，由此来使该推压面具有细微的凹部。由此，提供一种工件的研磨装置，能够使工件外周部的研磨速度稳定，高平坦度地研磨工件。