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公开(公告)号：CN100468719C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480001704.5
申请日：2004-05-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1147 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装，包括底板、至少一个半导体结构体、绝缘层、上部互连、下部互连，该半导体结构体形成在底板的一个表面上而且具有形成在半导体衬底上的多个外部连接电极，该绝缘层形成在该底板的一个表面上，环绕半导体结构体，该上部互连形成在该绝缘层上而且每个都包括至少一个互连层，至少一些上部互连连接到半导体结构体的外部连接电极，该下部互连形成在该底板的另一个表面上而且每个都包括至少一个互连层，至少一些下部互连电连接到上部互连。
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公开(公告)号：CN100418211C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480022204.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括基板(1)，和形成在基板(1)上的半导体结构体(2)。半导体结构体具有半导体衬底(4)和形成在半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12)。绝缘层(14)围绕着半导体结构体(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在绝缘层(14)上。互连(19)连接到半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。
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公开(公告)号：CN100341127C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510005871.3
申请日：2005-01-27
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/24226 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/82039 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的提供一种减少在半导体构成体的周围产生的无效空间的半导体器件。本发明的半导体器件包括：基底构件(22)；半导体构成体(3)，设置在所述基底构件(22)上，并且具有半导体衬底(5)和在该半导体衬底(5)上设置的多个外部连接用电极(13)；布线板(26)，设置在所述半导体构成体(3)的周围，至少在一个面上具有第1布线(33、34)；上层绝缘膜(16)，形成在上述半导体构成体(3)上；第2布线(19)，设置在所述上层绝缘膜(16)上和所述布线板(26)上，被连接到所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(13)上；以及绝缘衬底(36)，形成在所述第2布线(19)上和所述布线板(26)上。这种情况下，由于在半导体构成体(3)的周围设有布线板(26)，所以可以减少在半导体构成体(3)的周围产生的无效空间。
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公开(公告)号：CN1322583C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310113138.4
申请日：2003-12-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/13022 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，在制造例如称作BGA的半导体器件时，即使需要研磨工序，也能够以低价使用低精度的研磨装置简单地进行研磨。在基板(1)上的粘接层(2)上的预定多个部位，布置被称作CSP的半导体构成体(3)。接着，在半导体构成体(3)之间，布置由热固化性树脂构成的绝缘构件材料(13A)，通过使用一对加热加压板进行加热加压，形成绝缘构件。此时，即使绝缘构件材料(13A)中的树脂向半导体构成体(3)上流出，也能够以低价使用低精度的抛光或循环研磨带来简单地对其研磨后除去。然后，在其上形成上层绝缘膜、上层再布线、焊锡球等，接着，在相互邻接的半导体构成体(3)之间进行切断后，可以得到多个具备焊锡球的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1830083A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021710.7
申请日：2004-11-10
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025
Abstract: 第一半导体元件(4)贴装在底板(1)上面，并且处于其外围由绝缘元件(16)覆盖并且其上表面由上部绝缘膜(17)覆盖的密封状态中。形成于上部绝缘膜(17)上面的上部布线层(20，24)和通过下部绝缘膜(31，34)形成于底板(1)下面的下部布线层(33，37)通过导体(43)相连。第二半导体元件(40)露出贴装，并与下部布线层(33，37)相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1698198A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000058.0
申请日：2004-01-16
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个半导体构件(3)，该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个外部连接电极(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分，所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(6)上。
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公开(公告)号：CN101499456B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910009836.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/19 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2224/83005
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。形成覆盖半导体构成体(2)的外部连接用电极(10a)的上表面的绝缘膜(3或1)，在绝缘膜(3或1)上形成掩模金属层(52、65)，该掩模金属层(52、65)上形成有平面尺寸比外部连接用电极(10a)的平面尺寸小的开口部(53、64)。将上述掩模金属层(52、65)作为掩模向绝缘膜(3或1)照射激光束，从而在绝缘膜(3或1)上形成到达外部连接用电极(10a)的连接用开口部(13)。在绝缘膜(3或1)上形成经由连接用开口部(13)与外部连接用电极(10a)连接的布线(21)。
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公开(公告)号：CN101499445A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009626.8
申请日：2009-01-23
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有外部连接用电极(14a)的半导体结构体(6)的下表面，形成绝缘膜(1)和金属层(3)及掩模金属层(4)，绝缘膜(1)具有比半导体结构体(6)的平面尺寸大的平面尺寸，金属层(3)及掩模金属层(4)具有连接焊盘部(2a)，在连接焊盘部(2a)形成有与外部连接用电极(14a)对应的第一开口部(5)。通过以掩模金属层(4)为掩模照射激光束，从而在与外部连接用电极(14a)对应的部分的绝缘膜(1)上形成第2开口部(17)。另外，形成经由绝缘膜(1)的第2开口部(17)将布线(3)与外部连接用电极(14a)进行连接的连接导体(21)。
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公开(公告)号：CN100418215C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510071656.3
申请日：2005-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件，它包括：被施加接地电位的金属箔(2、2A)；设置在所述金属箔(2、2A)上的至少一个半导体构成体(3)，其具有半导体衬底(6)和设在该半导体衬底(6)上的多个外部连接用电极(9、16)；设置在所述半导体构成体(3)周围的绝缘层(21)，其实质上与所述半导体构成体(3)的厚度相同；在所述半导体构成体(3)和所述绝缘层(21)上设置与所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(9，16)连接的至少一层上层布线(25)；和至少贯穿所述绝缘层(21)、连接所述金属箔(2、2A)和所述上层布线(25)的上下导通部分(32)。
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公开(公告)号：CN100397629C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200480000058.0
申请日：2004-01-16
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个半导体构件(3)，该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个连接焊盘(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分，所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(12)上。
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