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公开(公告)号：CN101548378B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880000828.X
申请日：2008-08-07
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括由半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极构成的半导体结构(2)。下绝缘膜(1)设置于所述半导体结构的下方和外侧。密封膜(28)设置于所述下绝缘膜上以覆盖所述半导体结构的外围。多个下布线线路(22)设置于所述下绝缘膜下方并分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。
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公开(公告)号：CN102201389A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110070548.X
申请日：2011-03-23
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03902 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/14131 , H01L2224/16506 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，在配线(7)的焊接区上方设有锡扩散抑制层(12)，在该锡扩散抑制层(12)上方设有焊球(13)。从而，即使该半导体装置为处理大电流的电源IC等，也能够通过锡扩散抑制层(12)的存在而进一步抑制焊球(13)中的锡向配线(7)扩散。
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公开(公告)号：CN101944495A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010220856.1
申请日：2010-07-01
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L21/58 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/83855 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，其目的是不给半导体元件带来激光的热损伤。半导体器件的制造方法包括：在配置于第1基材且具有第1导通孔的第1绝缘膜的一个面，通过粘接剂粘接了形成有电极的半导体元件；将所述基材从所述第1绝缘膜除去；经由所述第1导通孔对所述粘接剂照射第1激光，在所述粘接剂形成第2导通孔，使所述电极从所述粘接剂露出；在所述第2导通孔中形成金属层，将所述金属层与所述电极连接。
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公开(公告)号：CN101785106A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104037.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/6835 , H01L23/3675 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2224/24227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1094 , H01L2924/01015 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体基片(4)和多个设置在半导体基片(4)下方的外部连接电极(13)的半导体组件(2)。下层绝缘膜(1)设置在半导体组件下方并围绕半导体组件。多个下层线路(22，22A)设置在下层绝缘膜下方并电连接到半导体组件的外部连接电极。绝缘层(31)围绕半导体组件设置并位于下层绝缘膜上。框架状绝缘基片(32)被埋在绝缘层上表面内并围绕半导体组件(2)设置。多个上层线路(34)设置在所述绝缘基片上。上面安装半导体组件和绝缘层的基板(41)被除去。
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公开(公告)号：CN101499456A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009836.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/19 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2224/83005
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。形成覆盖半导体构成体(2)的外部连接用电极(10a)的上表面的绝缘膜(3或1)，在绝缘膜(3或1)上形成掩模金属层(52、61)，该掩模金属层(52、61)上形成有平面尺寸比外部连接用电极(10a)的平面尺寸小的开口部(53、64)。将上述掩模金属层(52、65)作为掩模向绝缘膜(3或1)照射激光束，从而在绝缘膜(3或1)上形成到达外部连接用电极(10a)的连接用开口部(13)。在绝缘膜(3或1)上形成经由连接用开口部(13)与外部连接用电极(10a)连接的布线(21)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100459125C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510075516.3
申请日：2005-06-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1147 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于：具备底部件(1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。
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公开(公告)号：CN1830081A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022204.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括基板(1)，和形成在基板(1)上的半导体结构体(2)。半导体结构体具有半导体衬底(4)和形成在半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12)。绝缘层(14)围绕着半导体结构体(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在绝缘层(14)上。互连(19)连接到半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。
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公开(公告)号：CN1649119A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005871.3
申请日：2005-01-27
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/24226 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/82039 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的提供一种减少在半导体构成体的周围产生的无效空间的半导体器件。本发明的半导体器件包括：基底构件(22)；半导体构成体(3)，设置在所述基底构件(22)上，并且具有半导体衬底(5)和在该半导体衬底(5)上设置的多个外部连接用电极(13)；布线板(26)，设置在所述半导体构成体(3)的周围，至少在一个面上具有第1布线(33、34)；以及第2布线(19)，设置在所述半导体构成体(3)和所述布线板(26)上，被连接到所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(13)。这种情况下，由于在半导体构成体(3)的周围设有布线板(26)，所以可以减少在半导体构成体(3)的周围产生的无效空间。
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公开(公告)号：CN101944519A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222790.X
申请日：2010-07-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H05K1/185 , H05K3/4602 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备密封层的半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：半导体芯片(11)，具有电极(12)；接线柱(40)；密封层(70)，密封上述半导体芯片及上述接线柱；第一布线(33)，设在上述密封层的一个面上，与上述电极及上述接线柱电连接；以及第二布线(83)，设在上述密封层的另一个面上，与上述接线柱电连接；该半导体器件具有将上述第一布线(33、36)与上述接线柱电连接的通孔导体(101)以及将上述第二布线(83)与上述接线柱电连接的通孔导体(102)中的至少某一个，上述接线柱与上述通孔导体相互接触的界面上的上述接线柱的面积，比上述界面上的上述通孔导体的面积大。
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公开(公告)号：CN101689539A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022092.6
申请日：2008-08-07
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/02372 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/12105 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H05K1/185 , H05K3/426 , H05K3/427 , H05K3/4602 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置包括半导体结构，设置有半导体基底和多个用于外部连接的电极(13)，设置在半导体基底的下面。下层绝缘膜(1)设置在半导体结构的下面和周围。多个下层布线(22，22A)电连接到半导体结构的用于外部连接的电极，并且设置在下层绝缘膜的下面。绝缘层(31)设置在下层绝缘膜上，位于半导体结构的边缘中。上层绝缘膜(32)设置在半导体结构和绝缘层上。多个上层布线(33，33A)设置在上层绝缘膜上。半导体结构和绝缘层安装在其上的基板(51)被去除。
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