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公开(公告)号：CN100411138C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200580000511.2
申请日：2005-03-15
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/78 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J157/00 , C09J161/10 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04
CPC classification number: C09J163/10 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J161/06 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜，在进行切割时，其可作为切割用胶带使用，从而在进行取出时，半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离，且接着剂层在作为粘晶材料时，具有足够的接着性。前述粘合剂层包含：分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A)，和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含：环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5～6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。
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公开(公告)号：CN100358962C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200480003506.2
申请日：2004-02-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L2221/68327 , Y10T428/14 , Y10T428/1462 , Y10T428/24364 , Y10T428/24926 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2852
Abstract: 一种用于在其上粘结晶片的压敏胶粘带，其具有基底材料和，在其表面上形成的辐射-固化压敏粘合层，和任选的用于粘合管芯的粘合层，其中该辐射-固化压敏粘合层含有作为主要组分的丙烯酸系共聚物，在该丙烯酸系共聚物的主链上含有具有辐射-固化碳-碳双键的基团、具有羟基的基团和具有羧基的基团，且凝胶含量为60%或更高。
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公开(公告)号：CN1748012A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003506.2
申请日：2004-02-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L2221/68327 , Y10T428/14 , Y10T428/1462 , Y10T428/24364 , Y10T428/24926 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2852
Abstract: 一种用于在其上粘结晶片的压敏胶粘带，其具有基底材料和，在其表面上形成的辐射－固化压敏粘合层，和任选的用于粘合管芯的粘合层，其中该辐射－固化压敏粘合层含有作为主要组分的丙烯酸系共聚物，在该丙烯酸系共聚物的主链上含有具有辐射－固化碳－碳双键的基团、具有羟基的基团和具有羧基的基团，且凝胶含量为60％或更高。
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公开(公告)号：CN102511077A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080005501.9
申请日：2010-11-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J201/02
CPC classification number: C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供一种粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，即使在粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。本发明的粘合薄膜，其特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。此外，本发明的半导体晶片加工用胶带，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。
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公开(公告)号：CN101569002B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880001288.7
申请日：2008-07-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J7/40 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/1467 , Y10T428/28 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带(10)，其具有：长条状的分型膜(11)；粘接剂层(12)，其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状；粘合膜(13)，其具备：具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)；支承构件(14)，其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部，其中，支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102250555A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010179460.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。
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公开(公告)号：CN102237259A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010168146.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种可以抑制在拾取工序中邻接芯片一同拾起的双芯片错误的产生的晶片加工用带。所述晶片加工用带10具有由基材膜12a和粘合剂层12b构成的粘合膜12、和粘接剂层13。将粘接剂层13的厚度设为t(ad)[μm]、80℃下的储存弹性模量设为G’(80ad)、tanδ设为tanδ(80ad)、粘合膜(12)的厚度设为t(film)、80℃下的tanδ设为tanδ(80film)时，用式(1)表示的值A为0.043以上。…式(1)，粘接剂层13受到切割刀21压入的力时，粘接剂层13不易变形，粘接剂层13从半导体芯片2的溢出减少。由此，粘接剂层13不进行再熔接。
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公开(公告)号：CN102070991A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010283488.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/68
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体芯片与引线框或封装基板等之间粘接力优异、且能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的薄片状粘接剂、及使用该薄片状粘接剂制作的晶片加工用胶带、以及使用该薄片状粘接剂制作的半导体装置。薄片状粘接剂12含有利用螯合剂改性的螯合物改性固化树脂作为粘接剂层组合物，并且螯合物改性环氧树脂相对于固化树脂成分的配合比例为10质量％以下，且相对于固化树脂成分量100质量份，重均分子量为10万以上的高分子量化合物成分量为40～100质量份。
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公开(公告)号：CN101814432A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010117459.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/68
CPC classification number: H01L2224/29014
Abstract: 本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕的发生。
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公开(公告)号：CN1993809B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580026540.6
申请日：2005-08-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2479/08 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83851 , H01L2224/90 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , Y10T156/1052 , Y10T156/1062 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665
Abstract: 一种晶片加工带，包括形成于基底膜(1)上的可移除的粘合剂层(2)与粘接剂层(3)。在抛光工艺中，在所述带粘合到具有突起金属电极(4)的晶片电路基板的状态下，研磨晶片电路基板(5)的背面。在划片工艺中，将该晶片电路基板分为芯片。在拾取该分开的芯片中，其中在该粘接剂层(3)从基底膜(1)剥离而接合到芯片的状态下拾取所述芯片。
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