晶片加工用带
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102234489A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010168120.4

    申请日:2010-04-26

    Abstract: 本发明提供一种可以降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑的晶片加工用带。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和形成于其上的粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)和层压在该粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合膜(12)的80℃的损耗角正切tanδfilm和粘接剂层(13)的80℃的损耗角正切tanδad的比tanδad/tanδfilm设定为5.0以下。可以将切割片(21)的旋转振动通过粘合膜(12)充分吸收。在切割时,粘接剂层(13)的切割片(21)的旋转振动引起的振动通过粘合剂层(12b)而降低,难以传递到半导体芯片(2)。

    晶片加工用胶带
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102373017A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110043057.6

    申请日:2011-02-21

    CPC classification number: H01L2224/83191

    Abstract: 本发明提供一种晶片加工用胶带的生产性优异、可抑制拾取工序中的双芯片的发生或不能拾取半导体芯片的不良情况的发生的晶片加工用胶带。晶片加工用胶带(10)中,在将粘接膜(12)作为直角形拉裂试验片的、基于JIS K7128-3“塑料薄膜及片的拉裂强度试验方法--第3部:直角形拉裂法”所示的直角形拉裂试验片的试验方法中,将直角形拉裂试验片(100)的拉裂强度设为C、将在通过直角形拉裂试验片(100)的直角部的前端的中央线上从该直角部的前端放入了长度大致为1mm的切断部分(115)的直角形拉裂试验片(110)的拉裂强度设为D时,强度比(D/C)为0.8以下。并且,在基于JIS K7113的2号形试验片进行的延伸率的测定中,2号形试验片(120)即胶粘剂层(13)的延伸率为150%以上。

Patent Agency Ranking