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公开(公告)号:CN102234489A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201010168120.4
申请日:2010-04-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑的晶片加工用带。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和形成于其上的粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)和层压在该粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合膜(12)的80℃的损耗角正切tanδfilm和粘接剂层(13)的80℃的损耗角正切tanδad的比tanδad/tanδfilm设定为5.0以下。可以将切割片(21)的旋转振动通过粘合膜(12)充分吸收。在切割时,粘接剂层(13)的切割片(21)的旋转振动引起的振动通过粘合剂层(12b)而降低,难以传递到半导体芯片(2)。
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公开(公告)号:CN1806326A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200580000511.2
申请日:2005-03-15
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/78 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J157/00 , C09J161/10 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04
CPC classification number: C09J163/10 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J161/06 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜,在进行切割时,其可作为切割用胶带使用,从而在进行取出时,半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离,且接着剂层在作为粘晶材料时,具有足够的接着性。前述粘合剂层包含:分子中含有碘值为0.5~20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A),和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含:环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5~6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。
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公开(公告)号:CN103189459A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201080069874.2
申请日:2010-11-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供通过胶粘剂层吸收空气中的水分降低而软化,可以抑制拾取错误的发生的粘结膜及半导体晶片加工用带。本发明的粘结膜是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜,透湿度为10.0g/m2/day以下。此外,本发明的半导体晶片加工用带为具有:由基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层构成的粘结膜,及被设于粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带;粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。
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公开(公告)号:CN103026467A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180005938.7
申请日:2011-12-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/20 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377
Abstract: 本发明涉及晶片加工用带,其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带,其中,所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层,所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m2以下。
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公开(公告)号:CN102373017A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110043057.6
申请日:2011-02-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用胶带的生产性优异、可抑制拾取工序中的双芯片的发生或不能拾取半导体芯片的不良情况的发生的晶片加工用胶带。晶片加工用胶带(10)中,在将粘接膜(12)作为直角形拉裂试验片的、基于JIS K7128-3“塑料薄膜及片的拉裂强度试验方法--第3部:直角形拉裂法”所示的直角形拉裂试验片的试验方法中,将直角形拉裂试验片(100)的拉裂强度设为C、将在通过直角形拉裂试验片(100)的直角部的前端的中央线上从该直角部的前端放入了长度大致为1mm的切断部分(115)的直角形拉裂试验片(110)的拉裂强度设为D时,强度比(D/C)为0.8以下。并且,在基于JIS K7113的2号形试验片进行的延伸率的测定中,2号形试验片(120)即胶粘剂层(13)的延伸率为150%以上。
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公开(公告)号:CN1864248A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200480028647.X
申请日:2004-12-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2891 , Y10T428/298 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶片加工带,其中接合层(1)和粘性粘合层(2)设置在基体材料膜(3)表面上。该晶片加工带具有满足B>A的区域和满足A>B的区域,其中A是基体材料膜(3)与接合层(1)之间的分离力,B是被附着的体(4)与接合层(1)之间以及被附着的体(5)与粘性粘合层(2)之间的分离力。在拾取中,在满足B>A的区域中接合层(1)移到芯片侧,在带的分离中,在满足A>B的区域中粘性粘合层(2)不移到体(5)上。
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公开(公告)号:CN103026467B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201180005938.7
申请日:2011-12-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/20 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377
Abstract: 本发明涉及晶片加工用带,其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带,其中,所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层,所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m2以下。
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公开(公告)号:CN102220091A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110078898.0
申请日:2011-03-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/68 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种能够防止在半导体装置的制造工序中贴合晶片加工用胶带时产生的空隙或翘曲的胶粘性能高的晶片加工用胶带。一种晶片加工用胶带,其具有至少含有丙烯酸系共聚树脂、在室温下为液态的环氧树脂、环氧树脂的固化剂和填料的胶粘剂层,其特征在于,相对于胶粘剂层的厚度Xμm,填料的平均粒径为0.08Xμm以下。
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公开(公告)号:CN102093828A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010543557.1
申请日:2008-07-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J7/40 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/1467 , Y10T428/28 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带(10),其具有:长条状的分型膜(11);粘接剂层(12),其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状;粘合膜(13),其具备:具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b);支承构件(14),其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部,其中,支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
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公开(公告)号:CN101569002A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200880001288.7
申请日:2008-07-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J7/40 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/1467 , Y10T428/28 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带(10),其具有:长条状的分型膜(11);粘接剂层(12),其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状;粘合膜(13),其具备:具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b);支承构件(14),其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部,其中,支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
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