公开(公告)号：CN113299687B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202010804396.0

申请日：2020-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佳桦 ,  匡训冲 ,  张宇行 ,  张耀文

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131 ,  H10K71/16

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括耦合到内连结构的反射器电极。隔离结构设置在反射器电极之上，且透明电极设置在隔离结构之上。此外，光学发射体结构设置在透明电极之上。通孔结构从隔离结构的顶表面延伸到反射器电极，且包括直接上覆在隔离结构的顶表面上的外部部分。硬掩模层直接排列在隔离结构的顶表面与通孔结构的外部部分之间。

公开(公告)号：CN114695310A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110507106.0

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢得贤 ,  张宇行 ,  陈益民

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，其包含配置在衬底或第一介电层内的导电结构。第一阻挡层配置在导电结构的最外部侧壁和底部表面上。第二阻挡层配置在第一阻挡层的外部表面上。第二阻挡层将第一阻挡层与衬底或第一介电层隔开。第二介电层配置在衬底或第一介电层上方。通孔结构延伸穿过第二介电层，直接配置在第一阻挡层和第二阻挡层的最顶部表面上方，且通过第一阻挡层和第二阻挡层电耦合到导电结构。

公开(公告)号：CN108122922B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201711175978.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  刘世昌 ,  陈胜捷 ,  张宇行

IPC: H01L27/11548 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11573

Abstract: 本发明的一些实施例针对用于形成具有边界侧壁间隔件的嵌入式存储边界结构的方法。在一些实施例中，在半导体衬底中形成隔离结构，以将存储区域与逻辑区域分隔开。形成覆盖半导体衬底的多层膜。在存储区域上由多层膜形成存储单元结构。对多层膜实施蚀刻以从逻辑区域去除多层膜，从而使得多层膜至少部分地限定隔离结构上的伪侧壁。形成侧壁间隔件层，该侧壁间隔件层覆盖存储结构、隔离结构和逻辑区域并且进一步衬垫伪侧壁。对间隔件层实施蚀刻以在伪侧壁上由间隔件层形成间隔件。在逻辑区域上形成逻辑器件结构。本发明的实施例还提供了一种具有边界侧壁间隔件的嵌入式存储边界结构。

公开(公告)号：CN107230637A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201611046743.8

申请日：2016-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  王培伦 ,  曾元泰 ,  张宇行 ,  刘世昌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/402 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7801

Abstract: 本发明实施例提供一种用于高电压晶体管的方法及设备。本发明实施例涉及一种方法包含：沿着栅极结构的侧壁形成栅极间隔件；在所述栅极结构的相对侧上形成源极区及漏极区，其中所述源极区的侧壁与所述栅极间隔件的第一侧壁垂直地对准；在衬底上方沉积电介质层；在所述电介质层上方沉积导电层；图案化所述电介质层及所述导电层以形成场板，其中所述电介质层包括从第二漏极/源极区延伸到所述栅极间隔件的第二侧壁的水平部分及沿着所述栅极间隔件的所述第二侧壁形成的垂直部分；通过对所述导电层、所述栅极结构、第一漏极/源极区及第二漏极/源极区应用自对准硅化物工艺而形成多个金属硅化物层；及在所述多个金属硅化物层上方形成接点插塞。

公开(公告)号：CN106298769A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610057680.X

申请日：2016-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  吴常明 ,  刘世昌 ,  张宇行 ,  曾元泰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/0207 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明实施例涉及具有FinFET器件和嵌入式闪存存储器器件的集成芯片及其形成方法。在一些实施例中，集成芯片具有逻辑区和与逻辑区横向隔开的存储区。逻辑区具有从半导体衬底向外突出的多个第一半导体材料的鳍。栅电极布置在多个第一半导体材料的鳍上方。存储区具有从半导体衬底向外延伸的多个第二半导体材料的鳍。嵌入式闪存存储器单元布置在多个第二半导体材料的鳍上。由于产生的集成芯片结构包括FinFET器件以及嵌入式闪存存储器器件二者，因此它提供良好性能。本发明实施例涉及具有嵌入式EFS3以及FINFET器件的结构。