公开(公告)号：CN104867895B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  匡训冲 ,  萧清泰 ,  黄信华 ,  赵兰璘

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

Abstract: 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

公开(公告)号：CN103915422B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310105508.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立晟 ,  刘丙寅 ,  黄信华 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  郑钧文

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2207/017 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。

公开(公告)号：CN103579042B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210465015.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67092 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1972

Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

公开(公告)号：CN103474420B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN113555343B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202110243890.9

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  喻中一 ,  陈奎铭

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/778 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，包括倒置并覆盖在凹入半导体衬底顶部的介电区上的半导体器件。互连结构覆盖在半导体衬底和介电区上，还包括金属间介电(IMD)层。IMD层接合到半导体衬底顶部并容纳焊盘。半导体层覆盖在互连结构上，并且半导体器件在半导体层中并位于半导体层与互连结构之间。半导体器件包括第一源极/漏极电极，第一源极/漏极电极覆盖在介电区上，并且进一步覆盖在焊盘上并电耦合到焊盘。介电区可减小衬底电容以降低衬底功率损耗，例如，介电区可以是腔或介电层。接触件穿过半导体层延伸至焊盘。本发明的各种实施例还涉及形成集成电路芯片的方法。

公开(公告)号：CN107134408B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201611190738.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  林永隆 ,  刘丙寅 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；产生超声波；以及通过超声波传输介质，将超声波传导至已接合的第一晶圆和第二晶圆并且持续预定的时间段。本发明还公开了相关的用于至少减弱接合晶圆的接合强度的半导体制造系统。

公开(公告)号：CN113555343A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110243890.9

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  喻中一 ,  陈奎铭

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/778 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，包括倒置并覆盖在凹入半导体衬底顶部的介电区上的半导体器件。互连结构覆盖在半导体衬底和介电区上，还包括金属间介电(IMD)层。IMD层接合到半导体衬底顶部并容纳焊盘。半导体层覆盖在互连结构上，并且半导体器件在半导体层中并位于半导体层与互连结构之间。半导体器件包括第一源极/漏极电极，第一源极/漏极电极覆盖在介电区上，并且进一步覆盖在焊盘上并电耦合到焊盘。介电区可减小衬底电容以降低衬底功率损耗，例如，介电区可以是腔或介电层。接触件穿过半导体层延伸至焊盘。本发明的各种实施例还涉及形成集成电路芯片的方法。

公开(公告)号：CN104867895A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  匡训冲 ,  萧清泰 ,  黄信华 ,  赵兰璘

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

Abstract: 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

公开(公告)号：CN104051288A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN103915422A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310105508.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立晟 ,  刘丙寅 ,  黄信华 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  郑钧文

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2207/017 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。