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公开(公告)号：CN107445134B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710244191.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
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公开(公告)号：CN104051288A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310485415.8
申请日：2013-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/187 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L25/50 , H01L2224/03462 , H01L2224/038 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/08112 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80986 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2224/80896 , H01L2224/80801 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/01013 , H01L2924/053 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。
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公开(公告)号：CN112723299A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010460046.7
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种微机电系统MEMS结构，其包含：装置衬底，其具有第一区及不同于所述第一区的第二区；罩盖衬底，其经接合于所述装置衬底上方；第一腔，其在所述第一区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第一腔具有第一腔压力；第二腔，其在所述第二区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第二腔具有低于所述第一腔压力的第二腔压力；钝化层，其在所述第一腔中；释气材料，其在所述钝化层上方，其中所述释气材料包括顶表面及经暴露到所述第一腔的侧壁。
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公开(公告)号：CN109553065B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810404016.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供微机电系统装置与微机电系统的封装方法，其包括形成第一金属化结构于互补式金属氧化物半导体晶圆上，其中第一金属化结构包括第一牺牲氧化物层与第一金属接点垫。形成第二金属化结构于微机电系统晶圆上，其中第二金属化结构包括第二牺牲氧化物层与第二金属接点垫。接着将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起。在将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起之后，图案化并蚀刻微机电系统晶圆以形成微机电系统元件于第二牺牲氧化物层上。在形成微机电系统元件后移除第一牺牲氧化物层与第二牺牲氧化物层，使微机电系统元件沿着轴自由移动。
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公开(公告)号：CN103579042B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210465015.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T156/11 , Y10T156/1132 , Y10T156/1153 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1944 , Y10T156/1972
Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113247855A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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公开(公告)号：CN112141995A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010090792.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构，所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。内连结构上覆在衬底上。微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
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公开(公告)号：CN102237285B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201010167364.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。
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公开(公告)号：CN102117770B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010537781.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。
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公开(公告)号：CN103579042A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210465015.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T156/11 , Y10T156/1132 , Y10T156/1153 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1944 , Y10T156/1972
Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。
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