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公开(公告)号：CN106211531A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610528467.2
申请日：2016-07-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H05G2/001 , G03F7/2004 , G03F7/70033
Abstract: 激光辅助锡介质LDP通过磁力拖动电极的放电真空室，涉及毛细管放电EUV光源技术，为了解决现有装置无法实现在真空的状态下拖动Sn靶的问题。Sn靶的拖动装置采用磁力拖动结构实现，磁力拖动结构包括电机、磁性圆盘和圆形支架，Sn靶设置在圆形支架上，圆形支架上设置有磁铁，磁性圆盘固定在电机的转轴上，电机的转轴的轴线与磁性圆盘的轴线重合，磁性圆盘与圆形支架平行，电机和磁性圆盘位于放电真空室的外部，圆形支架位于放电真空室的内部。本发明的结构简单，控制精确，适用于锡介质极紫外光源系统。
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公开(公告)号：CN106092317A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610415737.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01J3/20
CPC classification number: G01J3/20
Abstract: 一种高精度Xe介质放电等离子体极紫外光刻光源光谱标定的方法，涉及光谱识别领域。本发明是为了解决现有的采用Hg灯对8nm～20nm范围内的线状谱进行标定，谱线的标定准确性差，导致对光谱的识别性差的问题。本发明第一步采用真空紫外阴极灯对罗兰圆谱仪进行初步标定，工作气体为He气；第二步采用He气和Ar气介质毛细管放电机制工作，通过He气和Ar气的线状谱对罗兰圆谱仪进行精确地标定。它用于对光谱进行标定。
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公开(公告)号：CN105867076A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610452115.3
申请日：2016-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/70033
Abstract: 采用磁拖动结构实现的LDP Sn介质EUV光源系统，涉及极紫外光刻光源技术，目的是为了解决LDP EUV光源的Sn靶拖动装置无法确保Sn靶与外界处于真空隔离状态的问题。本发明中Sn靶的拖动装置采用磁拖动结构实现，磁拖动结构中的转动电机用于带动电磁铁旋转，电磁铁带动Sn靶旋转，Sn靶为圆形，并能够绕其轴线转动，支撑架为带有磁铁的圆形框架，Sn靶固定在支撑架上，支撑架位于LDP Sn介质EUV光源系统的真空放电室内部，转动电机和电磁铁位于LDP Sn介质EUV光源系统的真空放电室外部。本发明能够实现拖动结构、电源及Sn靶之间的真空隔离，结构简单、控制精度高，适用于LDP Sn介质EUV光源系统。
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公开(公告)号：CN105739249A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610279298.3
申请日：2016-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70891
Abstract: 激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法，涉及极紫外光刻光源离子状态检测技术。目的是为了解决激光辅助放电EUV光源预电离等离子体电子温度测量依赖价格昂贵的设备，并且检测条件苛刻的问题。本发明首先使激光器发出的激光脉冲经过聚焦系统后作用在Sn靶上，产生Sn的初始等离子体，测量所述初始等离子体的发射光谱，然后从初始等离子体的发射光谱中选取至少两条谱线，所选取的所有谱线至少对应两个不同的上能级，读取每条谱线的波长和强度，根据所述谱线的波长、强度及原子参数，计算得到等离子体的电子温度。本发明只需要采用一些常规的设备在常规条件下即可完成电子温度测量，适用于半导体晶片的光刻技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104619105A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510084937.6
申请日：2015-02-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05G2/00
Abstract: Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室，涉及极紫外(EUV)光源技术。它为了解决常规的放电室结构放电性能和冷却性能不够好的问题。本发明中的主脉冲电源的高压极与预脉冲电源的地极共用一个电极，位于外壳的右端面上，预脉冲高压电极和共用电极均设置在外壳内部，且预脉冲高压电极和共用电极的位置沿轴向可调，使得预脉冲高压电极与主脉冲地电极的距离及共用电极与主脉冲地电极的距离均可调，提高了主脉冲电源和预脉冲电源的放电性能。预脉冲高压电极和共用电极内部设置有水冷系统。本发明具有良好的绝缘性能、放电性能、冷却性能和真空性能，适用于Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源。
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公开(公告)号：CN103774126A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410062341.1
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C18/36 , C23C18/1671 , C23C18/1844 , C23C18/54 , C25D3/562 , C25D5/18
Abstract: 电脉冲提高化学镀镍磷合金层厚度的方法，本发明涉及提高化学镀镍磷合金层厚度的方法。本发明要解决现有化学镀镍工艺存在镀层厚度一般不超过100微米的问题。方法：一、预处理；二、电脉冲及镀镍处理，即得到提高化学镀镍磷合金层厚度的被镀零件。本发明使化学镀厚镍磷合金层的厚度可以达到200微米以上，适用于要求化学镀镍磷合金层厚度超过200微米以上场合。本发明用于电脉冲提高化学镀镍磷合金层厚度的方法。
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公开(公告)号：CN102680120A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164154.5
申请日：2012-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 极紫外光刻光源Xe10+离子状态的检测系统，它涉及极紫外光刻光源离子状态的检测系统，本发明是为了解决极紫外光刻机在正常工作条件下进行极紫外光刻光源离子状态检测时，由于相机对光刻光源的光路的遮挡难以实现极紫外光刻光源离子状态实时检测的问题。它包括极紫外收集镜、反射镜、滤光片、光电二极管和示波器；毛细管输出端面的中心点与反射镜上端部连线与毛细管输出端的中心点与反射镜下端部连线的夹角为9~11°。此夹角范围内输出的极紫外光入射光电二极管，转变为电信号传递给示波器，示波器又将电信号转变为光信号形成的波形来动态显示极紫外光刻光源的离子状态。本发明可应用于极紫外光刻光源离子状态的动态检测技术领域。
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公开(公告)号：CN106066923A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610458140.2
申请日：2016-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081
Abstract: 一种用于极紫外光源的电源中磁脉冲压缩网络的电路参数的获得方法，涉及毛细管放电极紫外光刻光源中主脉冲电源的脉冲压缩技术。第n‑1级和第n级磁脉冲压缩单元的电流脉冲宽度之比即脉冲压缩比gn为：第n级磁开关的环形磁芯体积Voln为：磁脉冲压缩网络的最佳脉冲压缩级数mopt为：mopt＝2lnG，根据获得的最佳脉冲压缩级数mopt确定磁脉冲压缩网络的级数，根据第n级磁开关的磁芯体积Voln确定磁开关的体积，根据脉冲压缩比确定磁开关的饱和电感。本发明适用于获得磁脉冲压缩网络的电路参数。
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