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公开(公告)号：CN119827759A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411324938.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N33/543
Abstract: 本申请涉及生物检测技术领域，尤其涉及一种用于生物分析的检测试剂、试剂盒及应用，所述检测试剂包括调节介质，所述调节介质包括缓冲体系。通过创新的成分组合和配方优化，旨在降低非特异性吸附，提高信噪比和检测灵敏度，特别是引入特定氨基酸类缓冲液，能够与蛋白质表面疏水区域相互作用、减少非特异性吸附的成分，可以显著改善生物分析检测的性能。
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公开(公告)号：CN114191578A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN112417729A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN112163355A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN112417729B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/006 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110808338A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910959518.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/52 , H01L27/32 , F21K9/20 , F21Y115/15
Abstract: 本发明公开了一种双面出光的串联式量子点器件。其包括上面的顶发射OLED器件以及下面的底发射QLED器件，顶发射OLED器件和底发射QLED器件相互串联；其中金属反射电极既是QLED器件的阴极，同时是OLED器件的阳极。本发明提供的一种构造OLED双面显示屏的方案能有效解决显示屏因为透明显示出现的色域欠佳的问题。
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公开(公告)号：CN114686973B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210272717.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN112163355B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN113945728A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111207799.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种外延反应器托盘基座转速检测装置及外延反应器，属于半导体领域，外延反应器包括反应腔，反应腔内设置有用于承托衬底的托盘基座，反应腔具有流经托盘基座的气流通道以及分别位于气流通道两端的进气端口和出气端口，装置包括设于托盘基座上且随托盘基座的旋转而圆周运动的定位器、位于进气端口与出气端口的信号发射器和信号接收器以及与信号接收器通信连接的计速器，信号发射器用于发射被定位器周期性阻挡的激光信号，信号接收器用于接收激光信号，计速器用于根据激光信号被阻挡的频率计算获取托盘基座的角速度信息。本发明能够在不破坏保温层及石墨层结构的情况下完成托盘基座的测速，具有测量精度高、反应灵敏、结构简单的特点。
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公开(公告)号：CN112967932A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110146626.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了板级GaN半桥功率器件及其制备方法，属于电气领域，方法包括：S1获取包括金属芯板和绝缘底板的PCB板；S2在金属芯板的顶面加工出第一图形，在第一图形上生长金属形成第一图形层；S3将GaN MOS Die固定在第一图形层上；S4将铜箔通过固化片压合在固晶后的PCB板的顶面上；S5在铜箔上钻孔，且钻孔的深度止于GaN MOS Die或金属芯板；S6通过生长金属填平钻孔；S7在铜箔上加工出第二图形，在第二图形上生长金属形成第二图形层；S8将驱动IC及被动元件固定在第二图形层上；S9从顶面压合绝缘顶板进行顶面密封；S10去除绝缘底板，在金属芯板的底面加工出第三图形，在第三图形上生长金属形成与铜箔连接的第三图形层。本发明能够提高加工效率，还能够降低寄生电感。
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