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公开(公告)号：CN115440623A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210779714.1
申请日：2022-07-04
Abstract: 本发明提出一种激光烧结装置以及激光烧结方法。所述激光烧结装置包括：激光器、温度传感器、压力传感器基座、运动平台、透光板、以及砝码负载。上述技术方案提出的激光烧结装置及烧结方法通过实时调控烧结温度，避免烧结温度过高导致芯片以及基板损坏，同时提高了烧结体的整体机械强度和抗疲劳可靠性。
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公开(公告)号：CN115403353A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210743291.8
申请日：2022-06-28
IPC: C04B28/34 , C04B111/20 , C04B111/27 , C04B111/34
Abstract: 本发明提供了一种磷酸钙基水泥灌封材料及其制造方法，所述磷酸钙基水泥中均匀分布有纳米聚酰亚胺纤维和氮化硼粉末，其中所述纳米聚酰亚胺纤维的质量分数为1％‑10％，纤维长度范围为10微米‑200微米，纤维直径范围为30纳米‑200纳米，所述氮化硼粉末的质量分数为0.1％‑70％，粒径范围为0.01微米‑200微米。采用磷酸钙基水泥作为基础封装材料，降低了成本，比现有任何一种体系的成本都低；上述灌封材料体系耐高温，能耐受350℃的高温；改善了水泥水化的过程，降低了气孔率；降低了裂缝形成的可能性，改善了水泥抗水雾和盐雾的能力。纳米聚酰亚胺纤维和氮化硼粉末形成了三维导热网络，提高了水泥的热导率。
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公开(公告)号：CN117133636A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311333461.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化硼的碳化硅栅极介电层及其制备方法与应用，制备方法包括：首先利用微波等离子体化学气相沉积法，在碳化硅或碳化硅外延基底表面形成氮化硼缓冲层，即第一栅极介电层；之后利用低压金属有机化学气相沉积法，在氮化硼缓冲层表面进行范德华介电层六方氮化硼的生长，即第二栅极介电层；其中第一栅极介电层与沉积于氮化硼缓冲层上的第二栅极介电层构成碳化硅栅极介电层。与现有技术相比，本发明可有效减少因界面应力引起的碳空位、碳间隙原子及团簇等缺陷，可获得较薄介电层厚度以及较高的介电强度，进而提高了栅极介电层的可靠性。
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公开(公告)号：CN113035724B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110195619.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。
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公开(公告)号：CN113158601A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110312986.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 复旦大学 , 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114191578B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN114686973A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210272717.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN113035724A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110195619.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。
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公开(公告)号：CN111968960A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010811091.2
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板、制备工艺及其应用。其包括陶瓷覆铜基板、烧结材料层和定位组件；所述烧结材料层有两层，分别设置在陶瓷覆铜基板的正面和反面，定位组件设置在陶瓷覆铜基板正面的烧结材料层上方；定位组件采用还原气氛下的烧结工艺能够完全蒸发的材料制成。本发明的烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板被用于功率模块的封装作业，能简化芯片粘结工艺流程，免去清洗助焊剂等清洁工序，并且提高散热器使用效率以及简化装配工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110783486A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910959029.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于屏下摄像头的显示面板。该显示面板包括驱动背板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；显示面板被划分为显示a区和显示b区；显示a区的阴极为高透过率阴极，发光层为量子点发光层，显示a区下方设置屏下摄像头；显示b区的阴极为低透过率阴极，发光层为OLED有机发光层。本发明提出一种新的合适的屏下摄像头的显示器件结构及显示面板设计，其能同时达到高色纯度的显示性能和摄像头区域的高透性，实现性能优越的“真”全面屏。
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