公开(公告)号：CN1499526A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114843.6

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 滨口弘治

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储器装置(2)具备由通过施加电应力使电阻值变化的非易失性电阻变化存储器元件(23B)和选择晶体管(23A)组成的存储器单元(23)，以及将字线电压提供给连接到所述存储器单元的字线的字线电压提供设备(22)，在进行存储器单元的程序操作和验证所述存储器单元(23)的程序状态的校验操作的场合，所述字线电压提供设备(22)对于所述程序操作和所述校验操作的互为前后的2个操作，将相同的电压的字线电压提供给连接到写入对象的所述存储器单元(23)。

公开(公告)号：CN1482682A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03147814.X

申请日：2003-06-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至 ,  滨口弘治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。电流控制装置与可变电阻器的电流通路串连，以便控制流过所述可变电阻器的电流。