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公开(公告)号：CN110546469B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201880025083.6
申请日：2018-02-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种照度传感器，相比以往高精度地检测闪烁。照度传感器(1)包括：光接收部(12)，其接收光并输出电流(Iin)；闪烁测量用计数器电路(135)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第一数字信号输出至闪烁测量用存储装置(15)；照度测量用计数器电路(134)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第二数字信号输出至照度测量用存储装置(14)；以及闪烁检测部，其对闪烁测量用存储装置(15)中保存的第一数字信号进行分析来检测闪烁。从闪烁测量用计数器电路(135)输出第一数字信号的周期比从照度测量用计数器电路(134)输出第二数字信号的周期短。
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公开(公告)号：CN100390903C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200310120107.1
申请日：2003-12-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 滨口弘治
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2213/31
Abstract: 一种半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法，半导体存储装置具备：能够在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元、将上述N值数据的各数据值分别存储的多个监控单元。该修正方法包括如下步骤：采用包含了第1监控单元的多个监控单元；对于所述第1监控单元，每当对以所述第1监控单元作为监控对象的所述存储单元的读出操作发生时，就至少施行1次的读出操作；检测所述监控单元的物理量是否在预先设定的范围内；当在预先设定的范围以外时，确认所述存储单元的所述物理量是否在预先设定的范围内；当确认出所述存储单元的所述物理量在预先设定的范围外时，将该存储单元的所述物理量修正为收纳在预先设定的范围内。
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公开(公告)号：CN109155628B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201780029976.3
申请日：2017-03-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 滨口弘治
IPC: H03K17/945
Abstract: 接近传感器(100)具备：发光部(101)，其射出光；受光部(102)，其产生包含物体反射光电流和非检测对象物体反射光电流的测量电流；及初始校准执行部(120)，其在测量电流值为初始阈值以下的情况下，基于测量电流值更新与非检测对象物体反射光电流对应的偏移值。
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公开(公告)号：CN110546469A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880025083.6
申请日：2018-02-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种照度传感器，相比以往高精度地检测闪烁。照度传感器(1)包括：光接收部(12)，其接收光并输出电流(Iin)；闪烁测量用计数器电路(135)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第一数字信号输出至闪烁测量用存储装置(15)；照度测量用计数器电路(134)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第二数字信号输出至照度测量用存储装置(14)；以及闪烁检测部，其对闪烁测量用存储装置(15)中保存的第一数字信号进行分析来检测闪烁。从闪烁测量用计数器电路(135)输出第一数字信号的周期比从照度测量用计数器电路(134)输出第二数字信号的周期短。
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公开(公告)号：CN100419908C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410038651.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155628A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029976.3
申请日：2017-03-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 滨口弘治
IPC: H03K17/945
Abstract: 接近传感器(100)具备：发光部(101)，其射出光；受光部(102)，其产生包含物体反射光电流和非检测对象物体反射光电流的测量电流；及初始校准执行部(120)，其在测量电流值为初始阈值以下的情况下，基于测量电流值更新与非检测对象物体反射光电流对应的偏移值。
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公开(公告)号：CN100446121C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200310114843.6
申请日：2003-11-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 滨口弘治
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0071 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储器装置(2)具备由通过施加电应力使电阻值变化的非易失性电阻变化存储器元件(23B)和选择晶体管(23A)组成的存储器单元(23)，以及将字线电压提供给连接到所述存储器单元的字线的字线电压提供设备(22)，在进行存储器单元的程序操作和验证所述存储器单元(23)的程序状态的校验操作的场合，所述字线电压提供设备(22)对于所述程序操作和所述校验操作的互为前后的2个操作，将相同的电压的字线电压提供给连接到写入对象的所述存储器单元(23)。根据本发明，在所述半导体存储装置中，能够谋求程序和校验操作的高速化，以及能够谋求缩小芯片面积和减小程序操作电流。
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公开(公告)号：CN1295789C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03147814.X
申请日：2003-06-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。电流控制装置与可变电阻器的电流通路串连，以便控制流过所述可变电阻器的电流。
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公开(公告)号：CN1551229A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038651.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。
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公开(公告)号：CN1505053A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310120107.1
申请日：2003-12-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 滨口弘治
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2213/31
Abstract: 半导体存储装置具备：将在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元(1)；和将上述N值数据的各数据值以与上述存储单元相同的存储方式分别存储的多个监控单元(6、9)。由检测机构(12)检测监控单元的物理量是否在预先设定的范围内，在范围外时，由确认机构(16)确认存储单元的物理量是否在预先设定的范围内，由修正机构(16)修正存储单元的物理量。其结果是，不在存储单元(1)上施加多余的应力，就可以有效地检测物理量的变动，而且，并不只是对向电荷损耗所导致的规定范围的下方变动修正，也可以对电荷增加所导致的规定发范围的上方变动的物理量进行修正。
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