公开(公告)号：CN119546678A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380054017.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高桥谦三 ,  小松信之 ,  通口达也 ,  硲武史 ,  立道麻有子 ,  小森洋和 ,  天花寺英明 ,  河村昌彦

IPC: C08J5/18

Abstract: 本发明提供一种膜的均匀性高、并且在与金属箔粘合时也不产生变形的长条的氟树脂膜。一种氟树脂长条膜，其由在每1×106个碳原子数中不稳定官能团数小于350个的氟树脂构成，在宽度方向每5mm行进方向的膜厚平均与面整体的膜厚平均之差为2μm以内。

公开(公告)号：CN114933768B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202210619256.5

申请日：2018-01-17

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 横谷幸治 ,  小松信之 ,  硲武史 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫 ,  樋口达也 ,  山﨑景子

IPC: C08L27/16 ,  C08L27/18 ,  C08J5/18 ,  H01G4/33 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

公开(公告)号：CN113652043B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110940092.1

申请日：2016-07-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 金村崇 ,  向井惠吏 ,  硲武史 ,  小谷哲浩 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫

IPC: C08L27/18 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％，该膜包含熔点为180℃以上的含氟聚合物，且该含氟聚合物包含全部共聚单元的10摩尔％～49摩尔％的偏二氟乙烯单元。变化率(％)＝(B－A)/A×100。

公开(公告)号：CN104798153A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059514.8

申请日：2013-11-14

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高明天 ,  小松信之 ,  硲武史 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  太田美晴 ,  茂内普巳子 ,  立道麻有子 ,  木下雅量

IPC: H01G4/18 ,  B32B15/08 ,  B32B27/30

CPC classification number: H01G4/306 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/286 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2307/204 ,  B32B2457/16 ,  H01G4/01 ,  H01G4/08 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明目的在于提供一种使静电容量增大的层积膜。本发明提供的层积膜中第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层依次层积，其特征在于，所述电介质层含有偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，所述共聚物(A)中，偏氟乙烯/四氟乙烯的比例为97/3～60/40。

公开(公告)号：CN104704046A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051473.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有子 ,  太田美晴 ,  横谷幸治 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  茂内普巳子 ,  硲武史 ,  木下雅量 ,  高明天 ,  石川卓司 ,  井口贵视 ,  内田一畅 ,  深谷伦行 ,  北原隆宏 ,  小谷哲浩

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/18 ,  C08K3/20 ,  G02B3/14 ,  G02B26/00 ,  G02B26/02 ,  G02F1/19 ,  H01G4/18

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08J2327/16 ,  C08J2327/18 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2206 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2237 ,  G02B3/14 ,  G02B26/005 ,  G02B26/02 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/18 ,  H01G4/206 ,  C08K2201/003 ,  C08L2203/16 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明的目的在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。