公开(公告)号：CN114933768A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210619256.5

申请日：2018-01-17

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 横谷幸治 ,  小松信之 ,  硲武史 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫 ,  樋口达也 ,  山﨑景子

IPC: C08L27/16 ,  C08L27/18 ,  C08J5/18 ,  H01G4/33 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

公开(公告)号：CN110225938B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201880008655.X

申请日：2018-01-17

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 横谷幸治 ,  小松信之 ,  硲武史 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫 ,  樋口达也 ,  山﨑景子

IPC: C08J5/18 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

公开(公告)号：CN107835830B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201680041174.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 金村崇 ,  向井惠吏 ,  硲武史 ,  小谷哲浩 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫

IPC: C08J5/18 ,  C08F214/22 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％。变化率(％)＝(B－A)/A×100。

公开(公告)号：CN109689746B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201780055851.8

申请日：2017-09-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 硲武史 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  樋口达也 ,  古贺景子

IPC: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

Abstract: 提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。

公开(公告)号：CN110225938A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008655.X

申请日：2018-01-17

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 横谷幸治 ,  小松信之 ,  硲武史 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫 ,  樋口达也 ,  山﨑景子

IPC: C08J5/18 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

公开(公告)号：CN109689746A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055851.8

申请日：2017-09-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 硲武史 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  樋口达也 ,  古贺景子

IPC: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

CPC classification number: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

Abstract: 提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。

公开(公告)号：CN113652043A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110940092.1

申请日：2016-07-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 金村崇 ,  向井惠吏 ,  硲武史 ,  小谷哲浩 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫

IPC: C08L27/18 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％，该膜包含熔点为180℃以上的含氟聚合物，且该含氟聚合物包含全部共聚单元的10摩尔％～49摩尔％的偏二氟乙烯单元。变化率(％)＝(B－A)/A×100。

公开(公告)号：CN111919521A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980022807.6

申请日：2019-03-26

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 硲武史 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫 ,  田中友启

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B27/30 ,  C08F214/18

Abstract: 提供一种包含氟聚合物的电波吸收材料。氟聚合物优选包含偏二氟乙烯单元，更优选包含偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

公开(公告)号：CN111295413A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880070918.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有子 ,  硲武史 ,  小松信之 ,  樋口达也 ,  横谷幸治 ,  桧垣章夫 ,  田中友启

IPC: C08J5/18 ,  H01B3/30 ,  H01B3/44 ,  H01B17/56 ,  H01G4/32 ,  H05K1/03

Abstract: 提供一种即使在高温下介质损耗角正切也小、并且绝缘击穿强度也优异的膜。一种膜，其特征在于，其在频率1kHz、160℃下的介质损耗角正切为0.02％以下，160℃下的绝缘击穿强度为400V/μm以上。

公开(公告)号：CN107835830A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041174.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 金村崇 ,  向井惠吏 ,  硲武史 ,  小谷哲浩 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫

IPC: C08J5/18 ,  C08F214/22 ,  H01G4/18

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08F214/22 ,  C08F214/26 ,  C08J2327/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/32 ,  H01G4/33 ,  H01L41/193 ,  H01L41/257

Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为-8％～+8％。变化率(％)＝(B－A)/A×100。