-
公开(公告)号：CN109786565A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811517285.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种无空穴传输层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池依次层叠设置导电玻璃、发光层、电子传输层和金属电极；所述发光层为分子式为CsSn1-xPbxI3的Sn-Pb合金钙钛矿薄膜，其中0＜x＜1。通过使用CsSn1-xPbxI3钙钛矿材料作为发光层实现了无空穴传输层太阳能电池的制备，进一步简化电池结构，降低了成本。且该基于CsSn1-xPbxI3的无HTM太阳能电池具有稳定的光电转化效率，无明显滞后性。
-
公开(公告)号：CN105148965B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510392188.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种TiO2/WO3/g‑C3N4全介孔纳米纤维，该纳米纤维中TiO2/WO3以TiO2/WO3纳米纤维形式存在，g‑C3N4负载在TiO2/WO3纳米纤维上，其中TiO2/WO3纳米纤维具有多孔结构，多孔结构包括介孔。本发明TiO2/WO3/g‑C3N4全介孔纳米纤维的结构稳定、比表面积高。
-
公开(公告)号：CN108585031A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810461409.1
申请日：2018-05-15
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: C01G21/006 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/17
Abstract: 本发明涉及CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带及其可控的合成方法，属于纳米材料制备技术领域。所述的纳米带尺寸可调，平均长度为1-20μm。其制备方法：将Cs2CO3、PbI2、SnI2、油酸、油胺及十八烯置于内衬中；将内衬置于不锈钢高压釜中进行预溶解；将高压釜温度升至120-220℃，磁力搅拌下保温20min-150min，然后取出高压釜，置于搅拌器上，搅拌下空冷至室温，获得纳米带原液；进行离心清洗，并分散在己烷或甲苯中即合成CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带。通过调控反应温度和时间，有效实现CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带尺寸的精细调控。
-
公开(公告)号：CN105129803B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510511060.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 宁波工程学院
IPC: C01B32/956 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开的精确控制SiC一维纳米材料的方法，包括如下步骤，前躯体准备；基体预处理，包括将催化剂引入基体；纳米线生长，为将基体与前躯体在保护氛围下烧结，升温至热解温度，热解前躯体从而在基体表面形成SiC一维纳米材料，其中SiC一维纳米材料包括本体以及形成于本体端部的头部；冷却。本发明实现了多种截面形态的柱形结构的，同时具有良好的结构稳定性和半导体性能，同时加工制备方便，易于实现。
-
公开(公告)号：CN106410051A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610620473.0
申请日：2016-07-29
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5076 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用，所述金属元素掺杂ZnO纳米材料为Ga掺杂ZnO纳米材料，其中元素Ga、Zn的摩尔比为1～12∶100，本方法采用一种金属离子掺杂修饰的ZnO纳米材料作为QD-LD的电子传输材料，可以有效降低量子点中激子的分离，提高QD-LED器件的工作效率。本发明制备QD-LED器件采用掺杂ZnO纳米墨水一步法制备电子传输材料，极大的减少了器件制备的工艺步骤。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057606A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610566819.3
申请日：2016-07-15
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种应用于场发射材料中的纳米线材料，尤其涉及B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的B掺杂SiC纳米线为场发射阴极，所述场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场，所述场发射阴极在真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.6‑1.05V/μA。本发明B掺杂SiC纳米线场发射阴极材料加工方便，成本可控性好，性能稳定，具有很高的柔韧性；在不同弯曲次数后均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同弯曲状态下均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同温度下均具有较低的开启电场，均保持较高的电子发射稳定性。
-
公开(公告)号：CN104900754A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510177854.1
申请日：2015-04-15
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , D01F9/08
Abstract: 本发明公开了一种多晶氧化钨纳米带高灵敏紫外光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)、将配置的WCl6/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)前驱体纺丝液，置于静电纺丝机中进行静电纺丝，收集得到WCl6/PVP有机前驱体纳米带；(2)、将所述WCl6/PVP前驱体纳米带进行高温煅烧，实现WO3多晶纳米带的制备。(3)、WO3纳米带超声分散后，滴涂到叉指电极上，烘干，构建WO3多晶纳米带光电探测器件，然后以激光灯和氙灯为光源，用半导体参数测试系统对其光电探测性能进行检测。本发明与已有技术相对比，能够实现了WO3紫外光电探测器在低偏压下的高光电流响应，且光暗电流比达1000，具有超高灵敏度。
-
公开(公告)号：CN104404653A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410685385.X
申请日：2014-11-25
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明提供一种全介孔纳米纤维材料的通用制备方法，包括以下步骤：(1)将配置的前驱体纺丝液置于静电纺丝机中进行静电纺丝，最终从接收阴极上收集得到有机前驱体纤维，所述前驱体纺丝液中添加有发泡剂；(2)将所述前驱体纤维进行煅烧，即可获得具有全介孔结构的纳米纤维材料。本发明能够实现高纯度、微孔结构均匀空间分布的全介孔纳米纤维材料的可控制备；能够实现全介孔纤维材料的一步法制备，通用性强，工艺简单可控，重复性好。
-
公开(公告)号：CN114591738B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210164869.4
申请日：2022-02-23
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种可独立改变卤素含量的Mn2+掺杂CsPbCl3纳米晶的制备方法，属于半导体发光领域。本发明通过卤素热注法合成Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶，首次实现了在Mn2+掺杂浓度固定的情况下单独改变卤素密度，通过调节卤素含量，减少缺陷(陷阱)态，减小电子‑声子耦合效应和高温下的热降解作用，使其光学性能和稳定性更优；本发明钙钛矿纳米晶实现了通过改变卤素含量调控激子和Mn2+的光学性质，具有潜在的纳米荧光粉应用。
-
公开(公告)号：CN116568049A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310333548.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明属于太阳能电池材料技术领域，涉及一种双界面改性的钙钛矿复合材料及其制备方法和应用。本发明双界面改性的钙钛矿复合材料通过引入氟化铵(NH4F)和溴化胍(GABr)协同处理的手段，在ETL/钙钛矿和钙钛矿/HTL界面上进行的双界面改性，其中NH4F中F离子的掺入不仅可以通过促进载流子萃取和抑制载流子重组来优化ETL/钙钛矿界面，还可以改善钙钛矿薄膜质量。GABr后处理可以降低钙钛矿结构缺陷和辐射重组的密度，从而抑制陷阱辅助重组，有利于钙钛矿薄膜内部的载流子运输。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.033 seconds)
