制造半导体芯片的方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105590898A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201510764757.2

    申请日:2015-11-10

    CPC classification number: H01L33/0095 B28D5/022 B28D5/029 H01L21/78 H01S5/0202

    Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法,所述方法包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下,在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前,停止使用所述切割件。

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