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公开(公告)号：CN106997164A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/2057 , G03G2215/2035 , G03G15/2053 , H05B3/26
Abstract: 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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公开(公告)号：CN105308724A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN107160831B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610812689.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种加热装置的制造方法、印刷品的制造方法及丝网印刷装置，该加热装置的制造方法包括以下步骤：准备具有弯曲表面的基板；以及在所述基板上形成加热体，所述加热体利用电流的供给产生热。所述加热体的所述形成包括以下步骤：边旋转所述基板并移动丝网，边借助于按压部件向所述基板按压所述丝网，并经由所述丝网向所述基板转印形成所述加热体的涂布液。在所述加热体的所述形成中，所述按压部件相对于转印位置在所述丝网的移动方向上的上游侧的位置与所述丝网接触。
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公开(公告)号：CN107160831A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610812689.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种加热装置的制造方法、印刷品的制造方法及丝网印刷装置，该加热装置的制造方法包括以下步骤：准备具有弯曲表面的基板；以及在所述基板上形成加热体，所述加热体利用电流的供给产生热。所述加热体的所述形成包括以下步骤：边旋转所述基板并移动丝网，边借助于按压部件向所述基板按压所述丝网，并经由所述丝网向所述基板转印形成所述加热体的涂布液。在所述加热体的所述形成中，所述按压部件相对于转印位置在所述丝网的移动方向上的上游侧的位置与所述丝网接触。
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公开(公告)号：CN106997164B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105308724B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN101998711B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010139155.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L27/15 , H01L33/0041 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
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公开(公告)号：CN105590835B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510752088.7
申请日：2015-11-06
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
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公开(公告)号：CN105340064B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480034349.5
申请日：2014-06-26
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 该半导体片制造方法具有：用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。
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公开(公告)号：CN105340065A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035154.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
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