半导体装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105317611A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510382302.4

    申请日:2015-07-02

    Abstract: 本发明提供一种在高频噪声叠加时,能够抑制电压控制型半导体元件的栅极电位降低的半导体装置。该半导体装置具备电压控制型半导体元件21,其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈13的初级侧;第一电阻R1以及第二电阻R2,其串联地插设在对电压控制型半导体元件21的栅极进行控制的输入信号的供给路径;电流控制电路,其控制流通至电压控制型半导体元件21的电流;第一旁路形成元件D1,在电压控制型半导体元件21导通时旁路该第二电阻R2;和第二旁路形成元件D2,在电压控制型半导体元件21关断时旁路第一电阻R1以及第二电阻R2,电流控制电路具备连接在第一电阻R1以及第二电阻R2之间并下拉栅极电压的有源元件23。

    半导体装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107725248B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201710506670.4

    申请日:2017-06-28

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 本发明提供半导体装置,包括将功率半导体器件切实地切换为截止的驱动电路。该半导体装置具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位;放电电路,连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位;反馈部,根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。

    半导体装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107612361A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710532705.1

    申请日:2017-07-03

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 本发明提供在半导体装置接收将功率半导体设备断路的控制信号的情况下,能够可靠地断路的驱动功率半导体设备的半导体装置。半导体装置具备:功率半导体元件,其连接在高电位侧的第1端子和低电位侧的第2端子之间,响应于栅极电位而被控制为导通或关断;切断条件检测部,其检测从控制端子接收并控制所述功率半导体元件的控制信号是否满足预先确定的切断条件;以及切断电路,其响应于所述切断条件检测部检测到满足所述切断条件的情况,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为关断电位,所述切断条件检测部具有与所述第1端子和所述控制端子连接的输入端子,并将从所述输入端子输入的电信号作为电源使用。

    开关装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106979114A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201611095547.X

    申请日:2016-12-01

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 根据本发明,能够提供具有电路规模小,且稳定动作的计时电路的驱动电路。本发明提供一种开关装置,具备:功率半导体元件,其连接到高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间;电容器;充电部,其在功率半导体元件处于截止的期间的至少一部分中,对电容器进行充电;放电部,其根据功率半导体元件成为导通的情况,使电容器放电;以及断路部,其根据电容器的电压成为比阈值电压低的情况,使功率半导体元件成为截止状态。

    开关装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106979114B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201611095547.X

    申请日:2016-12-01

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 根据本发明,能够提供具有电路规模小,且稳定动作的计时电路的驱动电路。本发明提供一种开关装置,具备:功率半导体元件,其连接到高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间;电容器;充电部,其在功率半导体元件处于截止的期间的至少一部分中,对电容器进行充电;放电部,其根据功率半导体元件成为导通的情况,使电容器放电;以及断路部,其根据电容器的电压成为比阈值电压低的情况,使功率半导体元件成为截止状态。

    半导体装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105317611B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201510382302.4

    申请日:2015-07-02

    Abstract: 本发明提供一种在高频噪声叠加时,能够抑制电压控制型半导体元件的栅极电位降低的半导体装置。该半导体装置具备电压控制型半导体元件21,其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈13的初级侧;第一电阻R1以及第二电阻R2,其串联地插设在对电压控制型半导体元件21的栅极进行控制的输入信号的供给路径;电流控制电路,其控制流通至电压控制型半导体元件21的电流;第一旁路形成元件D1,在电压控制型半导体元件21导通时旁路该第二电阻R2;和第二旁路形成元件D2,在电压控制型半导体元件21关断时旁路第一电阻R1以及第二电阻R2,电流控制电路具备连接在第一电阻R1以及第二电阻R2之间并下拉栅极电压的有源元件23。

    半导体装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108063612A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201710992914.4

    申请日:2017-10-23

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 本发明提供半导体装置,在使功率半导体元件导通的控制信号输入到了半导体装置时,将功率半导体元件导通而防止误工作。具备:功率半导体元件(210),连接于高电位侧的第一端子(204)与低电位侧的第二端子(206)之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;切断条件检测部(130),检测从控制端子(202)输入且对功率半导体元件(210)进行控制的控制信号是否满足切断条件;第一开关元件(140),相应于检测到控制信号满足切断条件这一情形,将功率半导体元件(210)的栅极电位控制为截止电位;功率半导体元件(210)的集电极电流的检测部(212),切断条件检测部(130)以控制信号和集电极电流为切断条件。

    半导体装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106958502A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201611060621.4

    申请日:2016-11-25

    Inventor: 宫沢繁美

    Abstract: 本发明涉及一种能够稳定地动作、具有简便的制造工艺以及能够以低成本形成的单芯片点火器。本发明提供一种半导体装置,具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位而被控制为导通或关断;开关元件,连接于输入用于控制功率半导体元件的控制信号的控制端子和功率半导体元件的栅极之间,根据栅极电位而被控制为导通或关断;导通电位供给部,连接于第一端子和开关元件的栅极之间,向开关元件的栅极提供导通电位;以及关断电位供给部,连接于基准电位和开关元件的栅极之间,根据满足了预定的中断条件的情况,而将开关元件的栅极电位设为关断电位。

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