印刷配线基板的制造方法以及印刷配线基板

    公开(公告)号:CN103202107B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201180052339.0

    申请日:2011-10-26

    CPC classification number: H05K3/282 H05K2203/124

    Abstract: 本发明的目的是提供配线间的绝缘可靠性优异的印刷配线基板的制造方法。本发明的印刷配线基板的制造方法包括:层形成步骤,使具有基板及配置于基板上的铜或铜合金配线的核心基板、与包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑且pH值显示5~12的处理液接触,然后藉由溶剂清洗核心基板,而于铜或铜合金配线表面上形成包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑的铜离子扩散抑制层;以及绝缘膜形成步骤,于层形成步骤后于设置有铜离子扩散抑制层的核心基板上形成绝缘膜。

    含有腈基的聚合物及其合成方法、使用含有腈基的聚合物的组合物及层压体

    公开(公告)号:CN103588930A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201310298307.X

    申请日:2007-10-22

    Abstract: 一种金属模型材料的制造方法,包括下列步骤:(a1)在基板上形成聚合物层,该聚合物层由具有与电镀催化剂或其前体形成相互作用的官能团,并且和该基板直接化学结合的聚合物构成,和(a2)在该聚合物层上赋予电镀催化剂或其前体的步骤,和(a3)对该电镀催化剂或其前体进行电镀的步骤,和(a4)将形成的电镀膜蚀刻成呈图案状的步骤,上述聚合物层满足下述1~4的条件的全部。条件1:在25℃-50%下的饱和吸水率为0.01~10质量%,条件2:在25℃-95%下的饱和吸水率为0.05~20质量%,条件3:在100℃沸水中浸渍1小时后的吸水率为0.1~30质量%,条件4:在25℃-50%下滴加5μL蒸馏水,静置15秒后的接触角为50~150度。

    塑料光学介质和其制造方法

    公开(公告)号:CN101203781A

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200680020366.9

    申请日:2006-06-06

    Inventor: 佐藤真隆

    Abstract: 将第一可聚合组合物注入管(30)中,然后聚合成第一层(13)。接下来,将第二可聚合组合物注入管(30)中,并聚合成第二层(14)。重复这些注入和聚合步骤,形成包括n层聚合物的光学介质(10)。通过聚合包括与其他层的其他可聚合组合物相同的多种可聚合成分的可聚合组合物而形成每一层。内侧的层由包含较大比例的可聚合成分的可聚合组合物形成,与用于形成外侧相邻层的可聚合组合物相比,所述可聚合成分比相同可聚合组合物中的至少另一种可聚合成分具有更高的折射率。相邻两聚合物层的折射率之差至少为5×10-5,但小于5×10-3。

    触控面板传感器用导电性膜、触控面板传感器、触控面板

    公开(公告)号:CN106462284A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580028793.0

    申请日:2015-07-01

    Inventor: 佐藤真隆

    CPC classification number: G06F3/041

    Abstract: 本发明提供密合性优异、具有能够微细化的引出配线、引出配线与检测电极的电气连接性高的触控面板传感器用导电性膜、触控面板传感器和触控面板。本发明的触控面板传感器用导电性膜具备基板、配置在基板的至少一侧的表面上的检测电极、于基板的具有检测电极的一侧表面上配置在检测电极的周边的具有与镀覆催化剂或其前体相互作用的官能团的图案状被镀覆层、配置在图案状被镀覆层上的引出配线、以及将检测电极与引出配线电气连接的导电性连接部,引出配线为通过至少具有下述工序的方法形成的配线,在该工序中,对图案状被镀覆层赋予镀覆催化剂或其前体,对于被赋予了镀覆催化剂或其前体的图案状被镀覆层进行镀覆处理。

    非线性光学材料和使用其的非线性光学元件

    公开(公告)号:CN104204933A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380017468.5

    申请日:2013-03-27

    Abstract: 本发明提供具有良好的非线性光学性能、耐光性、耐升华性、耐热性、并且在电场极化时的稳定性也优异的非线性光学材料和使用其的非线性光学元件。一种有机非线性光学材料,其含有下述通式(I)所表示的化合物与高分子粘结剂。通式(I)中,R1和R2各自独立地表示取代或无取代的烷基、或者取代或无取代的芳基。R3表示氢原子、取代或无取代的烷基、或者取代或无取代的芳基。L表示将具有二氰基亚甲基的氧代吡咯啉环与氮原子经π共轭系连接、且在π共轭系含有偶氮基(-N=N-)的二价连接基团。

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