公开(公告)号：CN101627463A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780052132.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  矢野映

IPC: H01L21/3205 ,  C09D183/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125

Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101257003A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810081281.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01B3/18 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由上述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物，其中，R1、R2、R3和R4可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。