公开(公告)号：CN101641767B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200780052187.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  吉川浩太 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  尾崎史朗

IPC: H01L21/3065 ,  C09D9/00 ,  C11D9/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/162 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3742 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。

公开(公告)号：CN101689412B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN200880023571.X

申请日：2008-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: C08L83/16 ,  H01B3/46 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/4676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数，结构式(1)。

公开(公告)号：CN101960582A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN101689412A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023571.X

申请日：2008-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01B3/30 ,  C08L83/16 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/4676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数。

公开(公告)号：CN101960582B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN102047411A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200880129496.5

申请日：2008-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。

公开(公告)号：CN101257003B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200810081281.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01B3/18 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：结构式(1)其中，R1、R2、R3和R4可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

公开(公告)号：CN102047411B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN200880129496.5

申请日：2008-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。

公开(公告)号：CN101627463B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780052132.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  矢野映

IPC: H01L21/3205 ,  C09D183/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125

Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101641767A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052187.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  吉川浩太 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  尾崎史朗

IPC: H01L21/3065 ,  C09D9/00 ,  C11D9/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/162 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3742 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。